[发明专利]一种阀门密封件表面的复合涂层及其制备方法有效
申请号: | 201310477578.1 | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN103522627A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 王永欣;单磊;李金龙;陈建敏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | B32B15/00 | 分类号: | B32B15/00;B32B9/04;C23C14/32;C23C14/06;C23C8/36 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 单英 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阀门 密封件 表面 复合 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种阀门密封件表面的复合涂层,该涂层以阀门密封件为基体,其特征是:所述的复合涂层由基体表面自下而上依次层叠排列的Cr层、由Cr与Cr2N混合形成的Cr/Cr2N层、Cr2N层、由Cr2N与CrN混合形成的Cr2N/CrN层,以及CrN层组成。
2.如权利要求1所述的阀门密封件表面的复合涂层,其特征是:所述的复合涂层的厚度为30μm~50μm。
3.如权利要求2所述的阀门密封件表面的复合涂层,其特征是:所述的Cr层的厚度为1um~2um;所述的Cr/Cr2N层的厚度为8um~12um;所述的Cr2N层的厚度为8um~12um;所述的Cr2N/CrN层的厚度为8um~12um;所述的Cr2N层的厚度为8um~12um。
4.如权利要求1所述的阀门密封件表面的复合涂层,其特征是:所述的基体是表面经过离子渗氮处理的基体。
5.如权利要求1所述的阀门密封件表面的复合涂层的制备方法,其特征是:采用多弧离子镀技术,具体包括如下步骤:
步骤1、对基体表面进行清洗、除油、表面活化处理;
步骤2、将步骤1处理后的基体置于镀膜设备真空腔体中,选用Cr靶,Cr靶电流为50~100A,工件上施加-20~-50V负偏压,控制加热温度为400℃~450℃,通入氩气和氮气,通过控制氩气流量、氮气流量以及沉积时间在基体表面依次沉积Cr层、由Cr与Cr2N混合形成的Cr/Cr2N层、Cr2N层、由Cr2N与CrN混合形成的Cr2N/CrN层,以及CrN层组成,具体如下:
(1)氩气流量保持为100sccm~200sccm,氮气流量为0sccm,沉积1小时~2小时,得到Cr层;
(2)氩气流量保持为100sccm~200sccm,氮气流量为20sccm~30sccm,沉积时间为8小时~12小时,得到由Cr与Cr2N混合形成的Cr/Cr2N层;
(3)氩气流量保持为100sccm~200sccm,氮气流量为45sccm~50sccm,沉积时间为8小时~12小时,得到Cr2N层;
(4)氩气流量保持为100sccm~200sccm,氮气流量为75sccm~125sccm,沉积时间为8小时~12小时,得到由Cr2N与CrN混合形成的Cr2N/CrN层;
(5)氩气流量保持为0~100sccm,氮气流量为200sccm~400sccm,沉积时间为8小时~12小时,得到CrN层;
步骤3、待涂层沉积完毕后,在真空环境下冷却至220℃以下,然后在氮气保护气氛下冷却至100℃以下,最后放气至大气压,开腔出炉,即在基体表面获得复合涂层。
6.如权利要求1所述的阀门密封件表面的复合涂层的制备方法,其特征是:所述的步骤1中,表面活化处理为:将基体置于镀膜设备真空腔体,抽真空后将基体预热至400℃~450℃,利用氩等离子体对施加负偏压的基体表面轰击活化。
7.如权利要求5或6所述的阀门密封件表面的复合涂层的制备方法,其特征是:在所述的步骤1后进行基体表面离子渗氮处理,然后进行步骤2。
8.如权利要求7所述的阀门密封件表面的复合涂层的制备方法,其特征是:所述的渗氮处理具体为:将步骤1处理后的基体置于镀膜设备真空腔体中,通入氮气流量为1000~1200sccm,工作气压控制在8~10Pa,基体施加-800~-1000V负偏压,温度控制在450~500℃,渗氮处理时间为2~4小时。
9.如权利要求5或6所述的阀门密封件表面的复合涂层的制备方法,其特征是:所述的真空装置中设置两组Cr靶,每组为上中下垂直安置的三个Cr靶。
10.如权利要求5或6所述的阀门密封件表面的复合涂层的制备方法,其特征是:所述的氮气选用高纯度99.95%氮气。
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