[发明专利]电子器件、光掩模以及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种电子器件的制造方法，该电子器件具有第1薄膜图案和第2薄膜图案的层叠构造，其特征在于，具有以下工序：

第1薄膜图案形成工序，对形成在基板上的第1薄膜、或形成在所述第1薄膜上的第1抗蚀剂膜实施包含使用了第1光掩模的第1曝光的第1光刻工序，由此对所述第1薄膜进行构图；以及

第2薄膜图案形成工序，对形成在所述基板上的所述第2薄膜、或形成在所述第2薄膜上的第2抗蚀剂膜实施包含使用了第2光掩模的第2曝光的第2光刻工序，由此将所述第2薄膜构图为与所述第1薄膜图案不同的形状，

其中，所述第1光掩模和所述第2光掩模分别具有通过1次描绘工序划定的第1转印用图案和第2转印用图案，

所述第1光掩模包含遮光部和半透光部，或者包含透光部、遮光部和半透光部，

所述第2光掩模包含透光部、遮光部和半透光部，并且，

所述第2光掩模与所述第1光掩模是同一光掩模，或者所述第2光掩模是具有对所述第1光掩模具有的所述第1转印用图案实施追加加工而形成的第2转印用图案的光掩模。

2.一种电子器件的制造方法，该电子器件具有第1薄膜图案和第2薄膜图案的层叠构造，其特征在于，具有以下工序：

在基板上形成第1薄膜的工序；

第1薄膜图案形成工序，对所述第1薄膜、或形成在所述第1薄膜上的第1抗蚀剂膜实施包含使用了第1光掩模的第1曝光的第1光刻工序，由此对所述第1薄膜进行构图；

在形成有所述第1薄膜图案的所述基板上形成第2薄膜的工序；以及

第2薄膜图案形成工序，对所述第2薄膜、或形成在所述第2薄膜上的第2抗蚀剂膜实施包含使用了第2光掩模的第2曝光的第2光刻工序，由此将所述第2薄膜构图为与所述第1薄膜图案不同的形状，

其中，所述第1光掩模和所述第2光掩模分别具有通过1次描绘工序划定的第1转印用图案和第2转印用图案，

所述第1光掩模包含遮光部和半透光部，或者包含透光部、遮光部和半透光部，

所述第2光掩模包含透光部、遮光部和半透光部，并且，

所述第2光掩模与所述第1光掩模是同一光掩模，或者所述第2光掩模是具有对所述第1光掩模具有的所述第1转印用图案实施追加加工而形成的第2转印用图案的光掩模。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

所述第2光掩模与所述第1光掩模是同一光掩模，并且所述第1转印用图案所包含的遮光部和半透光部的边缘是通过1次描绘工序划定的。

4.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

所述第1薄膜图案形成工序与所述第2薄膜图案形成工序应用不同的条件。

5.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

所述第1薄膜或所述第1抗蚀剂膜与所述第2薄膜或所述第2抗蚀剂膜具有不同的感光性。

6.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

所述第1薄膜或所述第1抗蚀剂膜由正性感光性材料构成，所述第2薄膜或所述第2抗蚀剂膜为负性感光性材料。

7.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

所述第1薄膜或所述第1抗蚀剂膜由负性感光性材料构成，所述第2薄膜或所述第2抗蚀剂膜为正性感光性材料。

8.根据权利要求1或2所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

所述第2光掩模具有的所述第2转印用图案是对所述第1光掩模具有的所述第1转印用图案实施所述追加加工而得到的转印用图案，所述追加加工是通过去除所述第1转印用图案的一部分来形成所述第2转印用图案。

9.根据权利要求8所述的电子器件的制造方法，其特征在于，

所述第1转印用图案具有采用所述第1光掩模进行曝光时所使用的曝光装置无法分辨的线宽的标记图案。