[发明专利]掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法

权利要求书

1.一种掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法，其特征在于采用SiH₄作为硅源，CO₂作为氧源，H₂作为载气和催化气体；在等离子体源采用频率为13.56MHz的射频源或者频率为20～100MHz的甚高频源时，采用等离子体辅助化学气相沉积法在晶硅异质结太阳能电池用硅片上沉积掺氧氢化非晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法，其特征在于沉积工艺参数为：基板间距1.5～4.0 cm，SiH₄:CO₂流量比为1:0.1～1:10，SiH₄:H₂的流量比为1:1～1:100，沉积气压为10～500 Pa，功率密度为0.02～1 W/cm²，沉积过程中样品保持温度150～250 ℃。