[发明专利]用于太阳电池的银掺杂硫化铅/硫化镉共敏化剂制备方法

权利要求书

1.用于敏化太阳电池的银掺杂硫化铅／硫化镉量子点共敏化剂，其特征在于所述方法是以杂质银原子与半导体量子点中阳离子的质量摩尔浓度比为1：1-1：1000对硫化铅量子点进行掺杂；再与硫化镉量子点形成共敏化剂后组装成量子点敏化太阳电池。

2.根据权利要求1所述的银掺杂硫化铅量子点，其特征在于所述的掺杂方法为连续离子层吸附与反应(Successive ionic layer adsorption and reaction，SILAR)。

3.根据权利1所述的杂质银原子，其特征在于所述杂质原子来源于硝酸银可溶性盐。

4.根据权利要求1所述的银掺杂硫化铅量子点，其特征在于所述的杂质银原子与半导体量子点中阳离子的质量摩尔浓度比为1：1-1：1000。

5.根据权利要求1所述的硫化铅量子点，其特征在于所述的量子点为银掺硫化铅量子点。

6.根据权利要求1所述的掺杂量子点，其特征在于所述的杂质原子为银。

7.根据权利要求1所述的共敏化剂，其特征在于所述的银掺杂硫化铅量子点与硫化镉量子点形成共敏化剂。

8.根据权利要求1所述的量子点敏化太阳电池，其特征在于所述的敏化剂为银掺杂硫化铅／硫化镉量子点共敏化剂。

9.根据权利要求1所述的掺杂量子点敏化剂，其特征在于所述方法的具体步骤为：

1)配备浓度为0.01M-1M含有PbS半导体量子点中Pb²⁺离子的可溶性盐溶液，放在磁力搅拌器上面磁力搅拌30-60min；

2)将含有Ag原子的可溶性盐溶液加入步骤1)配备的溶液中，其中作为杂质的Ag原子的可溶性盐与量子点中阳离子的可溶性盐的质量摩尔浓度比为1：1-1：1000；

3)配备浓度为0.01M-1M含有CdS半导体量子点中Cd²⁺离子的可溶性盐溶液，放入20-50℃的水浴中恒温超声10-60min；

4)配备浓度为0.01M-1M含有PbS及CdS半导体量子点中的S^2-离子的可溶性盐溶液，放入20-50℃的水浴中恒温超声20-60min；

5)将待敏化的宽禁带半导体光阳极材料浸入步骤2)制备的溶液中1-10min，取出用相应溶剂冲洗，再用氮气吹干；

6)将步骤5)得到的光阳极材料浸入步骤4)制备的溶液中1-10min，取出用相应溶剂冲洗，再用氮气吹干，则在光阳极材料上形成Ag掺杂PbS半导体量子点敏化剂层；

7)将步骤6)制得的Ag掺杂PbS量子点敏化光阳极材料浸入步骤3)制备的溶液中5-30min，取出用相应溶剂冲洗，再用氮气吹干；

8)将步骤7)制得的光阳极材料浸入步骤4)制备的阴离子溶液中5-30min，取出用相应溶剂冲洗之后，用氮气吹干，则在光阳极材料上形成Ag掺杂PbS／CdS量子点共敏化剂层。