[发明专利]LDMOS及其制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管LDMOS的制造方法，所述LDMOS为LDNMOS，该方法包括以下步骤： 

A、在基底上形成LDNMOS区内用于隔离P型阱和N-漂移区的STI； 

B、在LDNMOS区进行离子注入形成P型阱； 

C、在所述P型阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的N-漂移区； 

D、在N-漂移区之间的基底表面形成栅极结构； 

E、在N-漂移区中进行N+掺杂形成源极和漏极； 

其特征在于，该方法还包括：在步骤D形成栅极结构之前的任意两个步骤之间，或者在LDPMOS形成过程中，对所述漏极一侧的N-漂移区进行预定深度的离子注入形成P反型离子漂浮区，所述P反型离子漂浮区位于N-漂移区中，与STI和漏极具有预定间隔。 

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在步骤D形成栅极结构之前的任意两个步骤之间，形成P反型离子漂浮区，包括：在步骤A和B之间，或者在步骤B和C之间，或者在步骤C和D之间，形成P反型离子漂浮区。 

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P反型离子漂浮区为一整体部分，或者为多个隔离开的部分。 

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述P反型离子漂浮区的离子注入剂量为10¹³-10¹⁵原子每平方厘米。 

5.一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管LDMOS，所述LDMOS为LDNMOS，包括基底表面的栅极结构，以及位于P型阱内，且在栅极结构两侧对称设置的N-漂移区，所述P型阱和N-漂移区之间设置有STI，所述N-漂移区中设置有源极和漏极；其特征在于，在漏极一侧的N-漂移区中设置具有预定深度的P反型离子漂浮区，所述P反型离子漂浮区与STI和漏极具有预定间隔。 

6.一种横向扩散P型金属氧化物半导体晶体管LDPMOS的制造方法，该方法包括以下步骤： 

A、在基底上形成LDPMOS区内用于隔离N型阱和P-漂移区的STI； 

B、在LDPMOS区进行离子注入形成N型阱； 

C、在所述N型阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的P-漂移区； 

D、在P-漂移区之间的基底表面形成栅极结构； 

E、在P-漂移区中进行P+掺杂形成源极和漏极； 

其特征在于，该方法还包括：在步骤D形成栅极结构之前的任意两个步骤之间，或者在LDNMOS形成过程中，对所述漏极一侧的P-漂移区进行预定深度的离子注入形成N反型离子漂浮区，所述N反型离子漂浮区位于P-漂移区中，与STI和漏极具有预定间隔。 

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在步骤D形成栅极结构之前的任意两个步骤之间，形成N反型离子漂浮区，包括：在步骤A和B之间，或者在步骤B和C之间，或者在步骤C和D之间，形成N反型离子漂浮区。 

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述N反型离子漂浮区为一整体部分，或者为多个隔离开的部分。 

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述N反型离子漂浮区的离子注入剂量为10¹³-10¹⁵原子每平方厘米。 

10.一种横向扩散P型金属氧化物半导体晶体管LDPMOS，包括基底表面的栅极结构，以及位于N型阱内，且在栅极结构两侧对称设置的P-漂移区，所述N型阱和P-漂移区之间设置有STI，所述P-漂移区中设置有源极和漏极；其特征在于，在漏极一侧的P-漂移区中设置有N反型离子漂浮区，所述N反型离子漂浮区与STI和漏极具有预定间隔。