[发明专利]投影曝光装置

权利要求书

1.一种投影曝光装置，用于将掩模的图像聚焦成像在硅片上，所述装置从掩模开始沿光轴依次包括：

具有放大倍率β₁的第一成像光学系统，用于对掩模的图像成中间像；

具有放大倍率β₂的第二成像光学系统，用于将中间像放大后成像在硅片上；

所述投影曝光装置的放大倍率为β=β₁×β₂。

2.如权利要求1所述的投影曝光装置，其特征在于，放大倍率β1约等于1，β2大于等于1.5。

3.如权利要求2所述的投影曝光装置，其特征在于，放大倍率β1等于1x，β2为-1.5x或-2x。

4.如权利要求1所述的投影曝光装置，其特征在于，所述第一成像光学系统为折反射结构，包括至少一反射棱镜、一凹面反射镜和折反射透镜组，所述折反射透镜组配置在反射棱镜与凹面反射镜之间。

5.如权利要求4所述的投影曝光装置，其特征在于，所述折反射透镜组包括至少六片透镜。

6.如权利要求4或5所述的投影曝光装置，其特征在于，所述第一成像光学系统还包括用于调节所述凹面反射镜的微动机构。

7.如权利要求4所述的投影曝光装置，其特征在于，所述第二成像光学系统沿着光轴方向依次包括：分别具有正光焦度的第一透镜组、第二透镜组、第三透镜组和第四透镜组；

其中，所述各透镜组满足以下关系：

15<|f_G22/f_G21|<17

0.8<|f_G23/f_G24|<1.2

0.05<|f_G23/f_G22|<0.12

上述各式中：f_G21为所述第一镜头组的焦距；f_G22为所述第二透镜组的焦距；f_G23为所述第三透镜组的焦距；f_G24为所述第四透镜组的焦距。

8.如权利要求7所述的投影曝光装置，其特征在于，所述第一透镜组包括至少四片透镜，并满足公式：1.03<|f_{el_max}/f_G21|<1.95，其中，f_{el_max}为第一透镜组内光焦度最大的透镜的焦距。

9.如权利要求7所述的投影曝光装置，其特征在于，所述第二透镜组包括至少六片透镜，其中至少包含两对相邻的正负透镜组合。

10.如权利要求9所述的投影曝光装置，其特征在于，所述正负透镜组合中，正负透镜的阿贝数比满足：

1.23<V_G22正/V_G22负<1.85或1.59<V_G22正/V_G22负<2.65

其中：V_G22正为所述第二透镜组的正负透镜组合中正透镜的阿贝数；V_G22负为与所述正透镜相邻的负透镜的阿贝数。

11.如权利要求7所述的投影曝光装置，其特征在于，所述第三透镜组包含第一子透镜组，所述第一子透镜组的光焦度为正，并包含第三透镜组中至少两个位置相邻且光焦度为正的透镜。

12.如权利要求11所述的投影曝光装置，其特征在于，所述第一子透镜组与第三透镜组之间满足以下关系式：

0.34<|f_G23-1n/f_G23|<0.87

其中，f_G23-1n为所述第一子透镜组的焦距。

13.如权利要求7所述的投影曝光装置，其特征在于，所述第四透镜组包含第二子透镜组，所述第二子透镜组的光焦度为正，并包含所述第四透镜组中至少三个位置相邻且光焦度为正的透镜。