[发明专利]一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片

权利要求书

1.一种垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，其操作步骤包括：

a）、在衬底上制作由N-GaN层、发光层和P-GaN层组成的外延层；

b）、对所述外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成1个或多个划片槽；

c）、在所述外延层上依次制作接触层和高反射电极层；

d）、向所述划片槽内填充绝缘材料；

e）、将所述高反射电极层键合到导热基板上；

f）、采用激光剥离技术将衬底去除；

g）、在所述N-GaN层上制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作。

2.如权利要求1所述的垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤c）中，采用预先成形、然后光刻工艺处理分别制作接触层和高反射电极层，使得接触层和高反射电极层依次位于不具有划片槽的外延层表面上。

3.如权利要求1所述的垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤e）完成后、步骤f）进行前，还包括：

f0）、对所述衬底背面进行抛光处理。

4.如权利要求3所述的垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤e）完成后、步骤f0）进行前，对所述衬底进行减薄处理，使得衬底的厚度为110-160μm。

5.如权利要求1所述的垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，所述衬底的材料选自蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝和尖晶石中的任意一种；所述绝缘材料为二氧化硅。

6.如权利要求1所述的垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，所述高反射电极层包括反射镜层和键合连接层，所述反射镜层和所述键合连接层之间设有粘附层。

7.如权利要求6所述的垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，所述导热基板为铜基板或硅基板，且所述导热基板表面上设有与所述键合连接层键合的金属连接层。

8.一种垂直LED芯片，包括导热基板，和依次位于所述导热基板上的高反射电极层、接触层、P-GaN层、发光层、N-GaN层和N型电极，其特征在于，所述LED芯片采用如权利要求1-7中任意一项所述的垂直LED芯片的制作方法制作得到，所述垂直LED芯片设有1个或多个划片槽，所述划片槽内填充有绝缘材料。

9.如权利要求8所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述绝缘材料为二氧化硅。

10.如权利要求8所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述N-GaN层表面具有粗化图形结构。