[发明专利]一种低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法

权利要求书

1.一种低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法，是在依次生长完基础材料GaN，NGaN和MQW之后，通入Mg和Ga，其特征在于：通入Mg和Ga的过程，存在Mg与Ga的流量比例变化的阶段。

2.根据权利要求1所述的低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法，其特征在于：使通入Mg和Ga的流量比例以100%到0%之间任意段的线性变化进行生长，或者以100%到0%之间任意几级阶梯型变化；或者采用线性变化和阶梯型变化相结合的方式进行生长。

3.根据权利要求2所述的低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法，其特征在于：所述阶梯型变化是按照100%、75%、50%、25%、0%阶梯模式变化，或者按照100%、10%、2.5%、0%阶梯模式变化。

4.根据权利要求1至3任一所述的低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法，其特征在于：通入Mg和Ga的流量比例变化模式进行多次重复。

5.根据权利要求1所述的低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法，其特征在于：实现通入Mg和Ga的流量比例变化，是通过固定Mg的流量不变而线性或者阶梯型渐变Ga的流量来实现；或者通过固定Ga的流量然后渐变Mg的流量来实现；或者结合这两种实现方式实现多种流量比例变化。

6.根据权利要求1所述的低扩散高空穴浓度的P型GaN基材料生长方法，其特征在于：在通入Ga的同时，也通入In和/或Al以配合改变能带结构和提高材料的晶体质量。