[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

本申请要求于2013年2月28日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0022445号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

下面的描述涉及一种有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法，更具体地讲，涉及一种在制造过程中缺陷率显著降低的有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法。

背景技术

有机发光显示装置指的是具有子像素的显示装置，每个子像素具有有机发光器件（OLED），OLED包括彼此面对的两个电极和设置在电极之间的中间层，中间层包括发射层（EML）。有机发光显示装置通过利用薄膜晶体管（TFT）控制每个子像素的发射和从每个子像素发射的量。通常，有机发光显示装置具有设置在基板上的多个TFT和布置在每个TFT上并电连接到每个TFT的OLED。

然而，当形成每个子像素的中间层时，或者当必须经由复杂的过程形成每个子像素时，传统的有机发光显示装置的制造工艺具有缺陷率高的问题。例如，为了将不同的发射材料沉积在各个子像素区域上，使用具有小贯穿孔的掩模，所述小贯穿孔对应于子像素。然而，随着有机发光显示装置的分辨率增大，掩模中的贯穿孔变得更小且设置得更密集，这使得发射材料的沉积更困难并且不能精确地执行沉积。

发明内容

本发明的方面涉及一种在制造过程中显著降低缺陷率的有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法。然而，本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，在其中可以做出形式和细节上的各种改变。

根据本发明的实施例，有机发光显示装置包括：基板，具有第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域；平坦化层，覆盖第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域，使得在第一子像素区域的中心处基板与平坦化层的顶表面之间的距离比在第二子像素区域的中心处基板与平坦化层的顶表面之间的距离大，或者比在第三子像素区域的中心处基板与平坦化层的顶表面之间的距离大；第一子像素电极，设置在第一子像素区域中的平坦化层上；第二子像素电极，设置在第二子像素区域中的平坦化层上；和第三子像素电极，位于第三子像素区域中的平坦化层上。

有机发光显示装置还可以包括像素限定层（PDL），PDL设置在平坦化层上，并跨过第一子像素区域和第二子像素区域并跨过第二子像素区域和第三子像素区域延伸以覆盖第一子像素电极的边缘、第二子像素电极的边缘和第三子像素电极的边缘。

基板与PDL的跨过第一子像素区域和第二子像素区域延伸从而覆盖第一子像素电极的边缘和第二子像素电极的边缘的部分的顶表面之间的距离可以等于基板与PDL的跨过第二子像素区域和第三子像素区域延伸从而覆盖第二子像素电极的边缘和第三子像素电极的边缘的部分的顶表面之间的距离。

平坦化层可以形成为使得在第一子像素区域的中心处基板与平坦化层的顶表面之间的距离可以比在第一子像素区域的边缘处基板与平坦化层的顶表面之间的距离大。

第一子像素电极可以覆盖平坦化层的在第一子像素区域的边缘处的顶表面的至少一部分，并可以覆盖平坦化层的在第一子像素区域的中心处的顶表面。

PDL的跨过第一子像素区域和第二子像素区域延伸的部分可以覆盖第一子像素电极的在第一子像素区域的边缘处的部分。

第一子像素电极可以设置在平坦化层的在第一子像素区域的中心处的顶表面上。

在PDL的跨过第一子像素区域和第二子像素区域延伸的部分处，PDL的顶表面与第二子像素电极的被PDL覆盖的部分的顶表面之间的距离可以比PDL的顶表面与第一子像素电极的被PDL覆盖的部分的顶表面之间的距离大。

有机发光显示装置还可以包括：第二发射层（第二EML），设置在PDL的跨过第一子像素区域和第二子像素区域延伸的部分的顶表面上、在第二子像素电极的没有被PDL覆盖的至少一部分上、在PDL的跨过第二子像素区域和第三子像素区域延伸的部分的顶表面上；以及第一EML，设置在PDL的跨过第一子像素区域和第二子像素区域延伸的部分的顶表面上的第二EML的顶表面上、在第一子像素电极的没有被PDL覆盖的至少一部分上、在PDL的跨过第二子像素区域和第三子像素区域延伸的部分的顶表面上的第二EML的顶表面上。

PDL的跨过第一子像素区域和第二子像素区域延伸的部分上的第二EML的顶表面与第一子像素电极的中心的顶表面之间的阶差可以等于PDL的跨过第一子像素区域和第二子像素区域延伸的部分上的第二EML的底表面与第二子像素电极的中心的顶表面之间的阶差。