[发明专利]抗侵入式攻击的芯片及其制作方法和攻击检测的方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种抗侵入式攻击的芯片及其制作方法和攻击检测的方法。

背景技术

在信息时代，信息安全是人们最重视的问题之一。将芯片封装在合适的外壳内，是使用芯片的必要步骤。为了对芯片实施侵入式攻击或半侵入式攻击，首要步骤就是解封装，即，将芯片裸片从其封装外壳中拆解出来。然后，攻击者再对芯片实施后续的攻击步骤，例如，腐蚀芯片表面钝化层以露出金属线，然后借助一些技术手段，例如，聚焦离子束（Focused Ion beam，简称FIB）或微探针等技术，来分析芯片工作过程中的一些信息。由此可知，保护芯片的封装可以在一定程度上增加攻击者实施攻击的难度，让芯片更加安全。

现有技术中US5030796提供了一种芯片对抗侵入式攻击的方法，使得芯片在解封装的过程中被破坏，从而保护芯片的信息安全。但是上述方法具有很大的局限性，它仅对那些使用特定腐蚀溶剂的解封装方法有效，而对其他解封装方法无效，使得攻击者很容易规避上述这种方法，而改用其他方法破坏封装，获得芯片裸片，继而实施攻击。

发明内容

本发明提供一种抗侵入式攻击的芯片及其制作方法和攻击检测的方法，用以实现芯片自检测封装是否已遭破坏的过程，从而起到抗攻击的作用。

本发明提供一种抗侵入式攻击的芯片，包括：

两个以上接触点，从所述芯片的内部延伸至所述芯片的外表面；

导电介质，附着在所述芯片的外表面；

检测电路，集成在所述芯片内部，用于检测所述两个以上接触点中的至少两个接触点之间的互联信息，得到参考数据信息，将所述参考数据信息存储在所述芯片的非易失性存储器中，当所述芯片上电后，重新检测所述至少两个接触点之间的互联信息，得到评估数据信息，根据所述参考数据信息和所述评估数据信息，判定所述芯片是否受到侵入式攻击。

本发明还提供一种前述抗侵入式攻击的芯片的制作方法，包括：

将所述检测电路集成在所述芯片内部；

设置至少两个接触点，从所述芯片内部延伸至所述芯片的外表面；

将导电介质附着在所述芯片的外表面。

本发明还提供一种前述抗侵入式攻击的芯片进行侵入式攻击检测的方法，包括：

所述检测电路检测至少两个接触点之间的互联信息，获得参考数据信息，保存在所述芯片的非易失性存储器中；

在所述芯片上电时，所述检测电路重新检测所述至少两个接触点之间的互联信息，获得评估数据信息；

所述检测电路根据所述参考数据信息和所述评估数据信息，判断所述芯片是否受到侵入式攻击。

在本发明中，两个以上接触点从芯片的内部延伸至芯片的外表面，导电介质附着在芯片的外表面，检测电路集成在芯片内部，用于检测至少两个接触点之间的互联信息，得到参考数据信息，将参考数据信息存储在芯片的非易失性存储器中，当芯片上电后，重新检测所述至少两个接触点之间的互联信息，得到评估数据信息，根据参考数据信息和评估数据信息，判定芯片是否受到侵入式攻击。这样，一旦导电介质被破坏，所述至少两个接触点之间的互联信息就会被破坏，芯片在上电时重新检测得到的评估数据信息就会与参考数据信息有所不同，于是可以自检测出芯片导电介质已经遭到破坏，芯片就会向系统发出报警信号，从而可以防御任何需要破坏封装才能实施的攻击有段。此外，在本发明中，对于不同的芯片，导电介质的特性、剂量、形状、位置、数量都可以不同，导致不同的装置中芯片内部保存的数据不同，所以，即使攻击者使用某种攻击手段获得了一个芯片的内部数据，对攻击者攻击另外一个芯片也是没有任何帮助的，这样就提高了实施攻击的难度，从而保障了芯片的高安全性。

附图说明

图1为本发明抗侵入式攻击的芯片第一实施例的结构示意图；

图2为本发明抗侵入式攻击的芯片第二实施例的结构示意图；

图3为本发明抗侵入式攻击的芯片第一实施例中图1所示的检测电路的工作示意图；

图4为本发明抗侵入式攻击的芯片第三实施例的结构示意图；

图5为本发明抗侵入式攻击的芯片第四实施例的结构示意图；

图6为本发明抗侵入式攻击的芯片的制作方法实施例的流程示意图；

图7为本发明抗侵入式攻击的芯片的制作方法实施例中图6所示的接触点位于芯片侧表面的结构示意图；

图8为本发明抗侵入式攻击的芯片的制作方法实施例中图6所示的导电介质的形状示意图；