[发明专利]高压二极管

权利要求书

1.一种半导体二极管器件，包括：

半导体衬底区域；

隔离结构，用于电隔离所述半导体衬底区域；

重掺杂第一端子接触区域，其具有第一导电类型，形成于所述半导体衬底区域中；

重掺杂第二端子接触区域，其具有第二导电类型，位于所述半导体衬底区域中，与所述重掺杂第一端子接触区域间隔开；

第一端子阱区，其具有所述第一导电类型，位于所述半导体衬底区域中并且在所述重掺杂第一端子接触区域的第一部分下面；

第二端子阱区，其具有所述第二导电类型，位于所述半导体衬底区域中，包括位于所述重掺杂第二端子接触区域周围的深的部分和从所述深的部分延伸到所述第一端子阱区的浅的部分，其中所述浅的部分的外围部分位于所述重掺杂第一端子接触区域的第二部分下面。

2.根据权利要求1所述的半导体二极管器件，其中所述第一导电类型是p型，所述第二导电类型是n型。

3.根据权利要求1所述的半导体二极管器件，其中所述第一端子阱区以及所述第二端子阱区的浅的部分形成位于所述重掺杂第一端子接触区域之下的p-n结。

4.根据权利要求1所述的半导体二极管器件，其中所述第二端子阱区的外围部分和所述重掺杂第一端子接触区域形成被所述重掺杂第一端子接触区域遮蔽的垂直的p-n结。

5.根据权利要求1所述的半导体二极管器件，其中位于所述半导体衬底区域的表面上的浅槽隔离区域是所述重掺杂第一端子接触区域和第二端子接触区域之间的仅有的隔离。

6.根据权利要求1所述的半导体二极管器件，其中所述第一端子阱区被控制以使所述半导体二极管器件的击穿电压最大化的横向间隔尺寸与形成于所述半导体衬底区域的表面上的浅槽隔离区域分离开。

7.根据权利要求1所述的半导体二极管器件，其中所述第二端子阱区的所述浅的部分以被控制以使所述半导体二极管器件的击穿电压最大化的横向间隔尺寸与所述重掺杂第二端子接触区域分离开。

8.根据权利要求1所述的半导体二极管器件，其中所述重掺杂第一端子接触区域、第一端子阱区、以及所述重掺杂第一端子接触区域和所述第一端子阱区下面的半导体衬底区域围绕了所述第二端子阱区的底部和侧面。

9.根据权利要求1所述的半导体二极管器件，其中所述隔离结构包括：被形成为围绕所述半导体衬底区域的深槽隔离区域、形成于所述半导体衬底区域底部的掩埋绝缘层、以及形成于所述半导体衬底区域的表面上的至少第一浅槽隔离区域。

10.一种制造半导体器件的方法，以任何顺序包括：

在隔离结构中提供第一导电类型的半导体衬底区域，所述隔离结构包括被形成以围绕所述半导体衬底区域的深槽隔离区域、形成于所述半导体衬底区域底部的掩埋绝缘层、以及形成于所述半导体衬底区域的表面上的至少一个第一浅槽隔离区域；

在所述半导体衬底区域的第一端子接触区域中形成所述第一导电类型的重掺杂第一端子接触区域；

在所述半导体衬底区域的第二端子接触区域中形成与所述第一端子接触区域间隔开的第二导电类型的重掺杂第二端子接触区域；

在所述半导体衬底区域中在至少所述第一端子接触区域下面形成所述第一导电类型的第一端子阱区，在最终形成时其与所述第一端子接触区域欧姆接触；以及

在所述半导体衬底区域中在至少第二端子接触区域下面形成所述第二导电类型的第二端子阱区，在最终被形成时其与所述第二端子接触区域欧姆接触，其中所述第二端子阱区横向延伸到位于所述半导体衬底区域的所述第一端子接触区域下面并且在最终被形成时与所述第一端子阱区相邻的外围末端部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成于所述第一端子阱区和第二端子阱区之间的阴极-阳极结被所述重掺杂第一端子接触区域遮蔽以增强电荷免疫。