[发明专利]一种镍硅合金铸锭的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310467928.6 申请日: 2013-09-29
公开(公告)号: CN103451458A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 刘洋;侯军涛;郭磊 申请(专利权)人: 西安瑞福莱钨钼有限公司
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C19/03
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710201 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 合金 铸锭 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种镍硅合金铸锭的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

步骤一、根据所需制备的镍硅合金铸锭的设计成分称取镍条、硅粉和镍箔,将镍条和硅粉混合均匀后用镍箔进行包覆,制成合金包,然后利用油压机对合金包进行压制,得到熔炼电极;

步骤二、将步骤一中所述熔炼电极置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于8.0×10-2Pa的条件下进行第一次真空自耗电弧熔炼,水冷后扒去表面氧化皮,得到第一锭坯;所述第一次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流800A~950A,熔化电压27V~28V,稳弧电流5A~6A;

步骤三、采用排水法测得步骤二中所述第一锭坯的密度ρNiSi-1,然后根据公式计算出第一锭坯中硅的质量百分含量x,其中,ρNi为镍的密度,ρSi为硅的密度,ρNi、ρSi和ρNiSi-1的单位均为g/cm3

步骤四、根据公式计算出需添加硅的理论质量mSi,其中,y为需制备的镍硅合金铸锭中硅的质量百分含量,mNiSi-1为第一锭坯的质量,mSi和mNiSi-1的单位均为g;

步骤五、在第一锭坯上钻设盲孔,将质量为1.5mSi~1.6mSi的硅粉加入盲孔中,然后将加有硅粉的第一锭坯置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于8.0×10-2Pa的条件下进行第二次真空自耗电弧熔炼,水冷后扒去表面氧化皮,得到第二锭坯;所述第二次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流800A~950A,熔化电压27V~28V,稳弧电流5A~6A;

步骤六、将步骤五中所述第二锭坯置于真空自耗电弧炉中,在真空度不大于8.0×10-2Pa的条件下进行第三次真空自耗电弧熔炼,水冷后扒去表面氧化皮,得到镍硅合金铸锭;所述镍硅合金铸锭中硅的质量百分含量y为4%~15%,余量为镍;所述第三次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流800A~950A,熔化电压27V~28V,稳弧电流5A~6A。

2.根据权利要求1所述的一种镍硅合金铸锭的制备方法,其特征在于,步骤二中所述第一次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流800A,熔化电压28V,稳弧电流5.5A。

3.根据权利要求1所述的一种镍硅合金铸锭的制备方法,其特征在于,步骤五中所述第二次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流850A,熔化电压28V,稳弧电流5.8A。

4.根据权利要求1所述的一种镍硅合金铸锭的制备方法,其特征在于,步骤六中所述第三次真空自耗电弧熔炼的熔炼参数为:熔化电流900A,熔化电压28V,稳弧电流6.0A。

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