[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法有效
| 申请号: | 201310467110.4 | 申请日: | 2013-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN104078484B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
| 发明(设计)人: | 徐濬仙;崔钟炫;孙榕德;徐晋旭 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 于会玲;康泉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示设备,包括:
基板;以及
位于所述基板上的多个像素,其中所述多个像素中的每一个包括:
有机发光器件,包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的中间层,其中所述中间层包括有机发射层;
驱动晶体管,被配置为驱动所述有机发光器件,并且包括有源层、栅电极、源电极和漏电极;以及
开关晶体管,电联接至所述驱动晶体管,并且包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,其中
所述驱动晶体管的栅电极包括第一导电层和位于所述第一导电层与所述驱动晶体管的有源层之间且具有小于所述第一导电层的宽度的第二导电层,并且
所述开关晶体管的栅电极包括与所述第一导电层相同的材料,
其中所述驱动晶体管的栅电极的上表面与所述驱动晶体管的有源层之间的距离大于所述开关晶体管的栅电极的上表面与所述开关晶体管的有源层之间的距离。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第一导电层在所述第二导电层的相对侧的上方突出。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第二导电层与所述驱动晶体管的有源层的重叠区域小于所述第一导电层与所述驱动晶体管的有源层的重叠区域。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第二导电层包括透射型导电材料。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示设备,其中所述透射型导电材料包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第一导电层的电阻小于所述第二导电层的电阻。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述多个像素中的每一个进一步包括电容器。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示设备,其中所述电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极,其中
所述第一电容器电极包括与所述第一导电层相同的材料;并且
所述第二电容器电极包括与所述驱动晶体管的源电极和漏电极或者所述开关晶体管的源电极和漏电极相同的材料。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第一电极和所述第二导电层形成在同一层上。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第一电极由与所述第二导电层相同的材料形成。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述驱动晶体管的有源层中与所述第一导电层相对应且与所述第二导电层不对应的部分是未掺杂的部分。
12.一种制造有机发光显示设备的方法,所述有机发光显示设备包括位于基板上的多个像素,所述方法包括:
形成所述多个像素之一,形成所述多个像素之一包括:
形成有机发光器件,所述有机发光器件包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的中间层,所述中间层包括有机发射层;
形成驱动晶体管,所述驱动晶体管被配置为驱动所述有机发光器件,所述驱动晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极;以及
形成开关晶体管,所述开关晶体管电联接至所述驱动晶体管,所述开关晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,其中
所述驱动晶体管的栅电极包括第一导电层和位于所述第一导电层与所述驱动晶体管的有源层之间的第二导电层,其中所述第二导电层具有小于所述第一导电层的宽度,并且
所述开关晶体管的栅电极包括与所述第一导电层相同的材料,
其中所述驱动晶体管的栅电极的上表面与所述驱动晶体管的有源层之间的距离大于所述开关晶体管的栅电极的上表面与所述开关晶体管的有源层之间的距离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310467110.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件
- 下一篇:引线框架及半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





