[发明专利]一种GaN基宽蓝光波长LED外延片及其应用无效
| 申请号： | 201310466986.7 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103515497A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 章勇;肖汉章;李正凯;罗长得 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基宽蓝光 波长 led 外延 及其 应用 | ||
1.一种GaN基宽蓝光波长LED外延片，从衬底开始，依次为GaN缓冲层、GaN本征层、n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p-AlGaN层和p-GaN层，所述的InGaN/GaN多量子阱层由InGaN阱层和GaN垒层交替叠加而成，其特征在于，所述的InGaN/GaN多量子阱活性层的InGaN阱层的厚度从n-GaN到p-GaN方向逐渐增大，所述的InGaN/GaN多量子阱活性层的GaN垒层厚度从n-GaN到p-GaN方向逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的GaN基宽蓝光波长LED外延片，其特征在于，所述的InGaN/GaN多量子阱层中的量子阱的数量为4~6。
3.根据权利要求1所述的GaN基宽蓝光波长LED外延片，其特征在于，所述的InGaN阱层厚度，从n-GaN到p-GaN方向，由2 nm递增到3 nm，所述的GaN垒层厚度，从n-GaN到p-GaN方向，由16 nm递减到4 nm。
4.根据权利要求3所述的GaN基宽蓝光波长LED外延片，其特征在于，所述的递增为等差递增，所述的递减为等差递减。
5.根据权利要求1所述的GaN基宽蓝光波长LED外延片，其特征在于，InGaN阱层中In的摩尔量为Ga和In的总量的15~18%。
6.根据权利要求1所述的GaN宽蓝光波长LED外延片，其特征在于，所述的p-GaN层掺有受主Mg，所述的n-GaN层掺有施主Si。
7.根据权利要求1所述的GaN基宽蓝光波长LED外延片，其特征在于，所述的衬底为蓝宝石、硅、SiC或GaN中的一种。
8.一种白光LED，其特征在于，由权利要求1所述的GaN基宽蓝光波长芯片与黄光荧光粉结合封装而成。
9.根据权利要求8所述的白光LED，其特征在于，所述的白光LED的发射峰值的范围在550~590nm，所述黄光荧光粉为YAG:Ce+、硅酸盐、铝酸盐或氮化物中的一种。
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