[发明专利]透明导电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201310465844.9 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103498178A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 孙小卫 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | C25D11/04 | 分类号： | C25D11/04;H01B13/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君盈知识产权事务所(普通合伙) 44315 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518055 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、配制浓度为0-10%的磷酸溶液；
B、将附有铝膜的基片作为阳极，并放入磷酸溶液中，调节阳极电压，该电压的值为0-200V，再利用电化学方法对基板上的铝膜进行氧化；以及
C、蚀刻基板上的铝膜,该蚀刻时间为1-120秒，使阳极氧化生成AL2O3，获得纳米网状结构的透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述磷酸溶液的浓度为2%。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述阳极电压的调节范围为100V。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述磷酸溶液配制后需进行降温处理和搅拌，所述降温处理方法为超低温恒温水浴法，所述搅拌可为机械搅拌或磁力搅拌。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述超低温恒温水浴法的温度控制范围为0-15℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述蚀刻时间为5-90秒。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述纳米网状结构的透明导电薄膜厚度为0-200nm。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述超低温恒温水浴法，优选温度为10℃。
9.一种透明导电薄膜，其特征在于：采用上述方法制得。
10.根据权利要求9所述的透明电电薄膜，其特征在于：所述的透明导电薄膜厚度为0-200nm。
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