[发明专利]激光加工方法以及激光加工装置

权利要求书

1.一种加工对象物切割方法，特征在于：

在加工对象物的内部对准聚光点照射脉冲激光，由此不使所述加工对象物的激光入射面熔融而仅在所述加工对象物的内部沿着切割预定线形成多个改质点，由多个所述改质点在所述加工对象物的内部形成改质区，

在所述加工对象物的厚度方向，把所述脉冲激光聚光到比厚度一半的位置更接近加工对象物的激光入射面的位置而形成所述改质点，由从所述改质区仅向所述加工对象物的所述激光入射面侧自然生长的裂纹，在所述激光入射面产生沿着所述切割预定线的裂纹，并人为地使所述自然生长的裂纹进一步生长，从而切割所述加工对象物。

2.一种加工对象物切割方法，特征在于：

在加工对象物的内部对准聚光点照射脉冲激光，由此不使所述加工对象物的激光入射面熔融而仅在所述加工对象物的内部沿着切割预定线形成多个改质点，由多个所述改质点在所述加工对象物的内部形成改质区，

在所述加工对象物的厚度方向，把所述脉冲激光聚光到比厚度一半的位置更远离加工对象物的激光入射面的位置而形成所述改质点，由从所述改质区仅向所述加工对象物的与所述激光入射面相对的面一侧自然生长的裂纹，在与所述激光入射面相对的面产生沿着所述切割预定线的裂纹，并人为地使所述自然生长的裂纹进一步生长，从而切割所述加工对象物。

3.根据权利要求1或2所述的加工对象物切割方法，特征在于：

所述加工对象物是半导体晶片、压电元件晶片、硅晶片或玻璃晶片中的任意一个。

4.一种加工对象物分割方法，其特征在于：

该方法是激光加工方法，对加工对象物照射激光，分别沿着平行于第一方向的多条切割预定线和平行于与所述第一方向正交的第二方向的多条切割预定线，不使所述加工对象物的激光入射面熔融而仅在加工对象物的内部网格状地形成改质区，并且，以使得在加工对象物的厚度方向上的所述第一方向的改质区的位置与所述第二方向的改质区的位置不同的方式，形成改质区，以该网格状形成的改质区为起点产生裂纹，使所述裂纹到达所述加工对象物的激光入射面以及相对的面，从而分割成各个芯片。

5.如权利要求4所述的加工对象物分割方法，其特征在于：

使所述激光的聚光点对准所述加工对象物的内部，在聚光点处的峰值功率密度为1×10⁸W／cm²以上而且脉冲宽度为1μs以下的条件下，照射所述激光。

6.如权利要求4所述的加工对象物分割方法，其特征在于：

在所述加工对象物的所述表面形成了电子器件或者电极图形。

7.如权利要求5所述的加工对象物分割方法，其特征在于：

在所述加工对象物的所述表面形成了电子器件或者电极图形。

8.根据权利要求4所述的加工对象物分割方法，特征在于：

所述加工对象物是半导体晶片、压电元件晶片、硅晶片或玻璃晶片中的任意一个。

9.如权利要求4～8的任一项所述的加工对象物分割方法，其特征在于：

在所述加工对象物的表面上形成有多个电路部分，

向与所述多个电路部分中邻接的电路部分之间的间隙面临的所述加工对象物的内部，对准激光的聚光点。

10.如权利要求4～8的任一项所述的加工对象物分割方法，其特征在于：

进一步对所述加工对象物施加人为的力，从而沿着所述切割预定线进行切割。

11.如权利要求9所述的加工对象物分割方法，其特征在于：

进一步对所述加工对象物施加人为的力，从而沿着所述切割预定线进行切割。

12.一种激光加工方法，其特征在于，

包括：

形成裂纹区的工序，使脉冲激光的聚光点对准加工对象物的内部，通过在所述加工对象物上照射脉冲宽度为1μs以下且所述脉冲激光的所述聚光点处的峰值功率密度为1×10⁸W／cm²以上的脉冲激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线，在所述加工对象物的内部形成多个裂纹点，由所述多个裂纹点只在所述加工对象物的内部形成作为切割起点的裂纹区；和

然后，分割所述加工对象物的工序，只通过形成所述裂纹区，而以所述裂纹区为起点进一步生长裂纹，使其到达所述加工对象物的表面和背面，割裂所述加工对象物。