[发明专利]干刻蚀下部电极及干刻蚀装置有效
| 申请号： | 201310464514.8 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103500695A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 张定涛;郑云友;吴成龙;李伟;宋泳珍;崔泰城 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 下部 电极 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种干刻蚀下部电极，其特征在于，包括平板状的电极板，所述电极板上设有绝缘层，所述绝缘层具有凹凸不平的粗糙表面。
2.根据权利要求1所述的干刻蚀下部电极，其特征在于，所述粗糙表面的粗糙度为2.5-3。
3.根据权利要求1或2所述的干刻蚀下部电极，其特征在于，所述粗糙表面上的凹坑和/或凸起的径向尺寸为0.44-0.45mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的干刻蚀下部电极，其特征在于，所述绝缘层的材质为陶瓷。
5.根据权利要求1所述的干刻蚀下部电极，其特征在于，所述干刻蚀下部电极还包括贯穿所述绝缘层与所述电极板的环状冷却气体通孔槽。
6.根据权利要求5所述的干刻蚀下部电极，其特征在于，所述冷却气体为氦气、干冰。
7.根据权利要求5所述的干刻蚀下部电极，其特征在于，所述通孔槽的数目为多个。
8.根据权利要求7所述的干刻蚀下部电极，其特征在于，所述通孔槽的数目为4个。
9.根据权利要求7所述的干刻蚀下部电极，其特征在于，多个所述通孔槽同心设置。
10.一种干刻蚀装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的干刻蚀下部电极。
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