[发明专利]一种相变内存管理方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及计算机领域，尤其涉及一种相变内存管理方法和装置。

背景技术

PCM（Phase Change Memory，相变内存）作为新一代的NVM存储介质，具有读写时延短，寿命长的特点。但是，PCM写操作的时延远大于读操作的时延，同时，相变内存在写0和写1时的时延具有不对称性，写0时延很短，写1时延很长，两者的时间相差十几倍以上。

现有的技术采用按批并发写的方式，对写0和写1不区分，在一批数据中，需要等待该批数据中所有的0和1都写完，然后再写下一批，该方案需要等待数据中的所有的位都写完时才能写下一批数据，导致写操作的时延非常大。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种相变内存管理方法和装臵。可解决现有技术中相变内存的写操作时间延迟大的不足。

为了解决上述技术问题，本发明第一方面提供了一种相变内存管理方法和装臵，包括：

查询相变内存中空闲页面；

对所述空闲页面的每个位执行填充1操作生成填充页面；

接收到对所述填充页面的写操作时，根据所述写操作确定出所述填充页面中需要写0的位地址，并对所述位地址对应的位写0。

结合第一方面，在第一种可能的实现方式中，所述对所述空闲页面的每个位执行填充1操作生成填充页面的步骤之后，还包括：

接收到内核发出内存页面分配请求时，将所述填充页面分配给所述内核。

结合第一方面及第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述对所述空闲页面的每个位执行填充1操作生成填充页面的步骤包括：

将所述空闲页面移入第一页面集合；

对所述空闲页面的每个位执行填充1操作生成填充页面；

将所述填充页面移入第二页面集合。

结合第一方面及第一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述对所述空闲页面的每个位执行填充1操作生成填充页面的步骤包括：

为处于填充1操作过程中的所述空闲页面关联填充标识符；

所述空闲页面填充1操作完成生成填充页面后删除所述填充标识符。

结合第一方面及第一种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述对所述空闲页面的每个位执行填充1操作生成填充页面的步骤包括：

读取所述空闲页面的每个位对应的数值，若数值为1，不将该位臵1；若数值为0，将该位臵1。

结合第一方面至第四种可能的实现方式中的任一种，在第五种可能的实现方式中，还包括：

若检测到所述相变内存处于空闲状态，执行所述查询相变内存中的空闲页面的步骤。

相应地，本发明第二方面还提供了一种相变内存管理装臵，包括：

查询模块，用于查询相变内存中空闲页面；

填充模块，用于对所述空闲页面的每个位执行填充1操作生成填充页面；

写0模块，用于接收到对所述填充页面的写操作时，根据所述写操作确定出所述填充页面中需要写0的位地址，并对所述位地址对应的位写0。

结合第二方面，在第一种可能的实现方式中，还包括：

分配模块，用于接收到内核发出内存页面分配请求时，将所述填充页面分配给所述内核。

结合第二方面及第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述填充模块用于：

将所述空闲页面移入第一页面集合；

对所述空闲页面的每个位执行填充1操作生成填充页面；

将所述填充页面移入第二页面集合。

结合第二方面及第一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述填充模块用于：

为处于填充1操作过程中的所述空闲页面关联填充标识符；

所述空闲页面填充1操作完成生成填充页面后删除所述填充标识符。

结合第二方面及第一种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述填充模块用于：

读取所述空闲页面的每个位对应的数值，若数值为1，不将该位臵1；若数值为0，将该位臵1。

结合第二方面至第四种可能的实现方式中的任一种，在第五种可能的实现方式中，还包括：

检测模块，用于若检测到所述相变内存处于空闲状态，指示所述查询模块开始工作。

实施本发明，具有如下有益效果：