[发明专利]光透射性材料的切割方法有效

专利信息
申请号: 201310462595.8 申请日: 2001-09-13
公开(公告)号: CN103551736A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 福世文嗣;福满宪志;内山直己;和久田敏光 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: B23K26/38 分类号: B23K26/38;B23K26/04
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 透射 材料 切割 方法
【权利要求书】:

1.一种光透射性材料的切割方法,其特征在于:

光透射性材料由半导体晶片或压电元件晶片构成,所述半导体晶片或所述压电元件晶片的表面包括将被切割分离的多个器件芯片,各个芯片分别具备电路部分,

该切割方法具备:

将所述光透射性材料放置在载置台上,该载置台用于在与照射所述光透射性材料的激光的光轴垂直的面内,并且在X轴以及与X轴垂直的Y轴方向上使光透射性材料移动,

在所述光透射性材料的内部对准聚光点将所述激光聚光并照射,

沿着切割图形,通过移动载置台,将激光沿着所述切割图形扫描并移动聚光点,从而在所述光透射性材料的表面以及背面不发生损伤的情况下,仅在该晶片内部沿着所述切割图形形成改质部分的工序;和

沿着所述切割图形,使裂纹从在所述X轴方向和所述Y轴方向上形成的所述改质部分到达所述光透射性材料的表面以及背面,从而沿着所述切割图形将所述切割对象材料切割为各个芯片的工序,

其中,所述切割图形形成在所述各个芯片的分别相邻的电路部分之间并且在所述X轴方向以及Y轴方向上,

在所述切割为各个芯片的工序中,使保持所述光透射性材料的晶片板变形,并且向所述光透射性材料施加应力,在所述晶片板上将芯片切割分离。

2.如权利要求1所述的光透射性材料的切割方法,其特征在于:

所述切割图形是网格形状。

3.如权利要求1或2所述的光透射性材料的切割方法,其特征在于:

在照射激光时,所述半导体晶片或压电元件晶片被所述晶片板保持着。

4.一种光透射性材料的切割方法,其特征在于:

光透射性材料由半导体晶片或压电元件晶片构成,所述半导体晶片或所述压电元件晶片的表面包括将被切割分离的多个器件芯片,各个芯片分别具备电路部分,

该切割方法具备:

将所述光透射性材料放置在载置台上,该载置台用于在与照射所述光透射性材料的激光的光轴垂直的面内,并且在X轴以及与X轴垂直的Y轴方向上使光透射性材料移动,

在所述光透射性材料的内部对准聚光点将所述激光聚光并照射,

沿着切割图形,通过移动载置台,将激光沿着所述切割图形扫描并移动聚光点,从而在所述光透射性材料的表面以及背面不发生损伤的情况下,仅在该晶片内部沿着所述切割图形形成裂纹区的工序;和

沿着所述切割图形,使在所述X轴方向和所述Y轴方向上形成的所述裂纹区生长至所述光透射性材料的表面以及背面,从而沿着所述切割图形将所述切割对象材料切割为各个芯片的工序,

其中,所述切割图形形成在所述各个芯片的分别相邻的电路部分之间并且在所述X轴方向以及Y轴方向上。

5.如权利要求4所述的光透射性材料的切割方法,其特征在于:

所述切割图形是网格形状。

6.如权利要求4或5所述的光透射性材料的切割方法,其特征在于:

切割为所述芯片的工序具备:通过向所述光透射性材料施加物理外力,使裂纹从仅在光透射性材料的内部形成的所述裂纹区生长至表面以及背面,从而切割为各个芯片。

7.如权利要求6所述的光透射性材料的切割方法,其特征在于:

向所述光透射性材料的物理外力的施加,是经由保持所述光透射性材料的晶片板向所述光透射性材料施加应力。

8.如权利要求7所述的光透射性材料的切割方法,其特征在于:

在照射激光时,所述光透射性材料被所述晶片板保持着。

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