[发明专利]一种具有可编程功能的多相位时钟产生电路

权利要求书

1.一种具有可编程功能的多相位时钟产生电路，其特征在于，包括多相位时钟产生电路和可编程相位选择电路；

所述多相位时钟产生电路包括压控延迟线、鉴相器、电荷泵、低通滤波器、偏置电压产生器，其中，

所述压控延迟线，包括多个相互串联的相同的压控延迟单元，输入端接入外界参考时钟，输出端输出延迟时钟信号；

所述鉴相器，用于对外界参考时钟和所述延迟时钟信号进行鉴相，并输出上升信号和下降信号；

所述电荷泵，用于根据所述上升信号和所述下降信号，对所述低通滤波器执行充放电操作；

所述偏置电压产生器，用于被所述低通滤波器输出的电压控制，而为所述压控延迟单元提供可调的偏置电压，以控制延迟大小；

所述可编程相位选择电路，用于根据输入其的来自所述多个压控延迟单元的时钟信号，产生相位可调的输出时钟信号。

2.如权利要求1所述的具有可编程功能的多相位时钟产生电路，其特征在于，所述低通滤波器包括低通滤波电容；

所述低通滤波电容，第一端分别于所述电荷泵和所述偏置电压产生器连接，第二端接地。

3.如权利要求2所述的具有可编程功能的多相位时钟产生电路，其特征在于，所述电荷泵包括上升电流源、第一开关电路、第二开关电路、运算放大电路、下降电流源和辅助电容，其中，

所述第一开关电路包括：

第一开关单元，控制端接入所述下降信号，输入端接入所述上升电流源，输出端与第一节点连接，用于当所述下降信号为高电平时导通所述上升电流源和所述第一节点；

以及，第二开关单元，控制端接入所述上升信号，所述输入端接入所述上升电流源，输出端与第二节点连接，用于当所述上升信号为高电平时导通所述上升电流源和所述第二节点；

所述第二开关电路包括：

第三开关单元，控制端接入所述上升信号，输入端与所述第一节点连接，输出端与所述下降电流源连接，用于当所述上升信号为高电平时导通所述第一节点和所述下降电流源的连接；

以及，第四开关单元，控制端接入所述下降信号，输入端与所述第二节点连接，输出端与所述下降电流源连接，用于当所述下降信号为高电平时导通所述第二节点和所述下降电流源；

所述运算放大器，正相输入端与所述第二节点连接，反相输入端与所述第一节点连接，输出端与所述反相输入端连接；

所述第一节点通过所述辅助电容接地，所述第二节点与所述低通滤波电容的第一端连接。

4.如权利要求3具有可编程功能的多相位时钟产生电路，其特征在于，

所述第一开关单元，包括：

第一NMOS晶体管，栅极接入所述下降信号，源极与所述上升电流源连接；

所述第一PMOS晶体管，栅极接入与所述下降信号反相的信号，漏极与所述上升电流源连接，源极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接；

第二NMOS晶体管，栅极接入高电平，源极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接，漏极与所述第一节点连接；

第二PMOS晶体管，栅极接地，源极与所述第一节点连接，漏极与所述第二NMOS晶体管的源极连接。

5.如权利要求4具有可编程功能的多相位时钟产生电路，其特征在于，

所述第二开关单元，包括：

第三NMOS晶体管，栅极接入所述上升信号，源极与所述上升电流源连接；

所述第三PMOS晶体管，栅极接入与所述上升信号反相的信号，漏极与所述上升电流源连接，源极与所述第三NMOS晶体管的漏极连接；

第四NMOS晶体管，栅极接入高电平，源极与所述第三NMOS晶体管的漏极连接，漏极与所述第二节点连接；

第四PMOS晶体管，栅极接地，源极与所述第二节点连接，漏极与所述第四NMOS晶体管的源极连接。

6.如权利要求5具有可编程功能的多相位时钟产生电路，其特征在于，

所述第三开关单元，包括：

第五NMOS晶体管，栅极接入高电平，源极与所述第一节点连接；

所述第五PMOS晶体管，栅极接地，漏极与所述第一节点连接，源极与所述第五NMOS晶体管的漏极连接；

第六NMOS晶体管，栅极接入所述上升信号，源极与所述第五NMOS晶体管的漏极连接，漏极与所述下降电流源连接；

第六PMOS晶体管，栅极接入与所述上升信号反相的信号，源极与所述下降电流源连接，漏极与所述第六NMOS晶体管的源极连接。