[发明专利]数字模拟转换电路

权利要求书

1.一种数字模拟转换电路，包括：

多个电流生成电路，各自包括：

恒流源，被配置为生成与预定参数相对应的电流，

第一金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），连接至所述恒流源并被配置为控制所述电流的供应目标，

第一栅极控制部，被配置为互斥性地将第一电压和第二电压提供至所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极以控制所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管被控制为由所述第一电压关断并由所述第二电压开启，以及

第一放电开关，连接至所述第一栅极控制部和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极，被控制为在所述第一栅极控制部提供所述第二电压的同时被开启以将积累在寄生电容中的电荷放电至预定目标，所述寄生电容位于所述第一栅极控制部和所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极中，并且所述第一放电开关被控制为在所述第一栅极控制部提供所述第一电压之前被关断；

第一电流附加线，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管并联连接至所述第一电流附加线；

放电线，被配置为将所述电荷放电；

第一电阻器，以预定电位连接至所述第一电流附加线；以及

电压源，被配置为将所述第二电压提供至所述第一栅极控制部。

2.根据权利要求1所述的数字模拟转换电路，

其中，所述多个电流生成电路各自包括：

第二金属氧化物半导体场效应晶体管，连接至所述恒流源并被配置为互斥性地为所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管控制所述电流的所述供应目标，

第二栅极控制部，被配置为互斥性地提供所述第一电压和所述第二电压以控制所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管被控制为由所述第一电压关断并由所述第二电压开启，以及

第二放电开关，连接至所述第二栅极控制部和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，被控制为在所述第二栅极控制部提供所述第二电压的同时被开启以将积累在寄生电容中的电荷放电至所述放电线，所述寄生电容位于所述第二栅极控制部和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极中，并且所述第二放电开关被控制为在所述第二栅极控制部提供所述第一电压之前被关断，

所述数字模拟转换电路进一步包括：

第二电流附加线，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管并联连接至所述第二电流附加线；以及

第二电阻器，以预定电位连接至所述第二电流附加线，

其中，所述电压源被配置为将所述第二电压提供至所述第二栅极控制部。

3.根据权利要求2所述的数字模拟转换电路，其中，

所述第一电流附加线和所述第二电流附加线中的至少一个被用作数字模拟转换输出，并且

所述电压源具有比所述第一放电开关更高的阻抗。

4.根据权利要求3所述的数字模拟转换电路，其中，

所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一个均包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，

所述第一电压包括正电源电压，

所述第二电压包括比地电位更高的电压，以及

所述放电线包括地线。

5.根据权利要求3所述的数字模拟转换电路，其中，

所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管中的每一个均包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，

所述第一电压包括地电位，

所述第二电压包括比正电源电压更低的电压，以及

所述放电线包括正供电接线端。

6.根据权利要求2所述的数字模拟转换电路，其中，所述第一栅极控制部和所述第二栅极控制部共用一个全差分放大器，所述全差分放大器的输出端分别与所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极和所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极连接，且所述全差分放大器根据输入的码信号来输出逻辑信号。