[发明专利]一种磁控溅射在硅上制锰铁薄膜的方法

权利要求书

1.一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)以硅单晶为衬底材料；

2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和铁靶两个靶；

3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；

4)衬底为室温或加温，锰靶和铁靶共溅射制备锰-铁薄膜；

5)退火，在硅单晶衬底上形成锰铁薄膜，该锰铁薄膜表现室温铁磁特性。

2.根据权利要求1所述的在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰铁薄膜的方法，其特征在于，其中磁控溅射仪的工作气体采用氩气。

3.根据权利要求1所述的在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰铁薄膜的方法，其特征在于，其中所述的硅衬底温度保持在20～400℃。

4.根据权利要求1所述的在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰铁薄膜的方法，其特征在于，其中所选择的退火是选择在真空退火或者保护气体气氛退火，退火温度范围为500℃～900℃；保护气体为氮气和氩气。