[发明专利]一种制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供设计掩膜版，所述设计掩膜版包括多个设计主线条图案；

通过延长所述设计主线条图案的长度或在所述设计主线条图案的端点处添加辅助虚拟条状图案，进而得到修正后的设计掩膜版，以实现去除设计主线条图案受到的拉伸应力的作用；

根据所述修正后的设计掩膜版制作光刻掩膜版；

使用所述光刻掩膜版对晶片进行光刻和蚀刻，以将延长长度的所述设计主线条图案或所述辅助虚拟条状图案以及添加所述辅助虚拟条状图案的所述设计主线条图案转移至所述晶片上。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，延长所述设计主线条图案的长度不能影响邻近的其它设计图案。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，延长的长度小于或等于1微米。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在使用所述光刻掩膜版对晶片进行光刻和蚀刻之后，使用切割掩膜版对所述晶片进行光刻和蚀刻的步骤。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，根据设计需要使用所述切割掩膜版切去不需要的辅助线条。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，剩余的所述辅助虚拟条状图案的长度小于或等于0.2微米。