[发明专利]一种晶圆背面的离子注入方法无效
| 申请号： | 201310459704.0 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103500704A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;黄海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背面 离子 注入 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆背面的离子注入方法，包括如下步骤:
步骤一，对晶圆背面进行减薄处理；
步骤二，在减薄后的晶圆背面进行低能离子浅掺杂注入；
步骤三，用炉管进行热处理，使杂质离子向晶圆正面扩散至所需深度。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆背面的离子注入方法，其特征在于，所述减薄处理采用湿法蚀刻方法或者研磨方法，减薄厚度范围在5～300um。
3.根据权利要求1或2所述的一种晶圆背面的离子注入方法，其特征在于，所述低能离子浅掺杂注入的操作条件为：离子注入能量范围在5～50Kev，离子剂量范围在1013～1015/cm2，掺杂离子为锗离子。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆背面的离子注入方法，其特征在于，所述热处理的处理时间3～4小时，温度在300～400℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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