[发明专利]一种高深宽比沟槽的填充方法有效
| 申请号： | 201310459702.1 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103489821A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;黄海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高深 沟槽 填充 方法 | ||
1.一种高深宽比沟槽的填充方法，包括如下步骤：
步骤一，采用HARP工艺淀积第一层薄膜，填充1/5～2/5沟槽；
步骤二，采用热退火工艺对第一层薄膜进行处理；
步骤三，采用HDP CVD工艺淀积第二层薄膜，填充沟槽的剩余4/5～3/5。
2.如权利要求1所述一种高深宽比沟槽的填充方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比为4～15，深度为3～20um。
3.如权利要求1所述一种高深宽比沟槽的填充方法，其特征在于，所述第一层薄膜和所述第二层薄膜均为二氧化硅薄膜。
4.如权利要求1或2或3所述一种高深宽比沟槽的填充方法，其特征在于，所述HARP工艺淀积第一层薄膜的操作条件为：温度范围在400～700℃，反应腔压力范围为1～10Torr，氮气或惰性气体的流量范围为100～1000sccm，射频功率范围为100～2000W。
5.如权利要求1或2或3所述一种高深宽比沟槽的填充方法，其特征在于，所述热退火工艺的操作条件为：温度范围为600～1100℃，反应腔压力范围为1～10Torr。
6.如权利要求1或2或3所述一种高深宽比沟槽的填充方法，其特征在于，所述HDP CVD工艺淀积第二层薄膜的操作条件为：温度范围为500～700℃，反应腔压力范围为1～10Torr，氮气或惰性气体的流量范围为100～1000sccm，射频功率范围为500～3000W。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
