[发明专利]化合物半导体器件和其制造方法有效
| 申请号： | 201310459388.7 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103715253B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 吉川俊英;温井健司 | 申请（专利权）人： | 创世舫电子日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
化合物半导体层；以及
形成在所述化合物半导体层上侧上的电极对，
其中，所述电极对中的一个电极在与所述化合物半导体层的接触表面中具有沿着转移电子的多个底部表面，并且所述多个底部表面位于距所述转移电子不同距离处，越接近所述电极对中的另一电极的所述底部表面越远离所述转移电子。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，在所述电极对中的所述一个电极中，与所述接触表面中的所述底部表面中预定的邻近的两个底部表面接合的侧表面为锥形形状，所述侧表面越远离所述电极对中的所述另一电极的部分越接近所述转移电子。
3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，还包括：
覆盖所述化合物半导体层的保护绝缘膜，
其中，在所述电极对中的所述一个电极中，在与所述保护绝缘膜的接触侧表面中接近所述电极对中的所述另一电极的接触侧表面被接合到所述底部表面。
4.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，其中，
所述化合物半导体层具有其中生成所述转移电子的电子转移层和形成在所述电子转移层上方的电子供给层，并且
所述电极对与所述电子供给层接触，而不与所述电子转移层接触。
5.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，还包括：
形成在所述化合物半导体层上方、所述电极对之间的另一电极；以及
形成在所述化合物半导体层与所述另一电极之间的p型半导体层。
6.一种制造化合物半导体器件的方法，包括：
形成化合物半导体层；以及
在所述化合物半导体层上侧上形成电极对，
其中，所述电极对中的一个电极在与所述化合物半导体层的接触表面中具有沿着转移电子的多个底部表面，并且所述多个底部表面位于距所述转移电子不同距离处，越接近所述电极对中的另一电极的所述底部表面越远离所述转移电子。
7.根据权利要求6所述的制造化合物半导体器件的方法，其中，在所述电极对中的所述一个电极中，与所述接触表面中的所述底部表面中预定的邻近的两个底部表面接合的侧表面为锥形形状，所述侧表面越远离所述电极对中的所述另一电极的部分越接近所述转移电子。
8.根据权利要求6或7所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括：
形成覆盖所述化合物半导体层的保护绝缘膜，
其中，在所述电极对中的所述一个电极中，在与所述保护绝缘膜的接触侧表面中接近所述电极对中的所述另一电极的接触侧表面被接合到所述底部表面。
9.根据权利要求6或7所述的制造化合物半导体器件的方法，其中，
所述化合物半导体层具有其中生成所述转移电子的电子转移层和形成在所述电子转移层上方的电子供给层，并且
所述电极对与所述电子供给层接触，而不与所述电子转移层接触。
10.根据权利要求6或7所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括：
形成在所述化合物半导体层上方、所述电极对之间的另一电极；以及
形成在所述化合物半导体层与所述另一电极之间的p型半导体层。
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