[发明专利]一种基于有机基板技术的封装工艺及封装结构有效
申请号: | 201310459272.3 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN103474363A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 郭学平;于中尧;谢慧琴 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 王爱伟 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 有机 技术 封装 工艺 结构 | ||
1.一种基于有机基板技术的封装工艺,其特征在于:包括,
提供一有机基板,所述有机基板具有第一主面和与第一主面相对的第二主面;
在有机基板第一主面形成金属槽,所述金属槽的尺寸与待封装的芯片的尺寸相适应;
将所述芯片安装于所述金属槽内;
在所述第一主面上形成芯片载板以将所述芯片封装于所述金属槽内;
在有机基板的第二主面一侧形成连接芯片的连接垫片的封装管脚。
2.根据权利要求1所述的基于有机基板技术的封装工艺,其特征在于:在所述芯片安装于所述金属槽内时,所述芯片的端面与所述第一主面处于同一水平面,所述芯片载板与所述芯片的端面相接触,所述芯片的连接垫片设置于所述芯片的端面的另一侧。
3.根据权利要求1所述的基于有机基板技术的封装工艺,其特征在于:所述有机基板包括有机层以及夹持所述有机层的分别位于所述有机层的第一主面侧以及第二主面侧的两个金属层,在有机板的第一主面形成金属槽之前,其还包括,
对所述有机基板的第一主面和第二主面进行增铜工艺,使得增铜后所述有机基板的第一主面侧的金属层增厚,其厚度大于所述芯片的厚度,其中所述金属层就是开设于所述有机基板的第一主面侧的金属层中。
4.根据权利要求1所述的基于有机基板技术的封装工艺,其特征在于:
所述芯片安装于所述金属槽内,是通过点胶倒装贴芯片将所述芯片安装于所述金属槽内的。
5.根据权利要求1所述的基于有机基板技术的封装工艺,其特征在于:
所述在有机基板的第二主面一侧形成连接所述芯片的连接垫片的封装管脚,包括,
减薄所述有机基板的位于第二主面侧的金属层;
自减薄后的有机基板的第二主面进行盲孔的制作,所述盲孔与所述芯片上的连接垫片相对准并延伸至对应的连接垫片;
对形成有盲孔的有机基板的第二主面进行化铜全板以及所述盲孔的填孔电镀;
对填控电镀后的有机基板的第二主面进行线路层制作以及阻焊处理;
阻焊处理后在所述第二主面植入焊球。
6.一种封装结构,其特征在于:包括,
有机基板,所述有机基板具有第一主面和第二主面,在所述有机基板的第一主面上形成有金属槽;
芯片,其设置于所述金属槽内,其具有端面以及与所述端面相对的另一面,所述芯片包括有位于与所述端面相对的另一面的若干连接垫片;
芯片载板,所述芯片载板设置于所述芯片的端面以及所述第一主面上;
形成于所述有机基板的第二主面一侧的外部管脚;
与所述芯片的对应连接垫片和相应的外部管脚电性连接的内部连线,所述内部连线延伸穿过所述有机基板;
位于所述有机基板的第二主面一侧的阻隔各个内部连线的阻焊层。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于:所述芯片载板的厚度为10μm~100μm。
8.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于:所述芯片设置于所述金属槽内,所述芯片的端面与所述第一主面处于同一水平面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造