[发明专利]一种基于有机基板技术的封装工艺及封装结构有效

专利信息
申请号: 201310459272.3 申请日: 2013-09-26
公开(公告)号: CN103474363A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 郭学平;于中尧;谢慧琴 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 王爱伟
地址: 214000 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 有机 技术 封装 工艺 结构
【权利要求书】:

1.一种基于有机基板技术的封装工艺,其特征在于:包括,

提供一有机基板,所述有机基板具有第一主面和与第一主面相对的第二主面;

在有机基板第一主面形成金属槽,所述金属槽的尺寸与待封装的芯片的尺寸相适应;

将所述芯片安装于所述金属槽内;

在所述第一主面上形成芯片载板以将所述芯片封装于所述金属槽内;

在有机基板的第二主面一侧形成连接芯片的连接垫片的封装管脚。

2.根据权利要求1所述的基于有机基板技术的封装工艺,其特征在于:在所述芯片安装于所述金属槽内时,所述芯片的端面与所述第一主面处于同一水平面,所述芯片载板与所述芯片的端面相接触,所述芯片的连接垫片设置于所述芯片的端面的另一侧。

3.根据权利要求1所述的基于有机基板技术的封装工艺,其特征在于:所述有机基板包括有机层以及夹持所述有机层的分别位于所述有机层的第一主面侧以及第二主面侧的两个金属层,在有机板的第一主面形成金属槽之前,其还包括,

对所述有机基板的第一主面和第二主面进行增铜工艺,使得增铜后所述有机基板的第一主面侧的金属层增厚,其厚度大于所述芯片的厚度,其中所述金属层就是开设于所述有机基板的第一主面侧的金属层中。

4.根据权利要求1所述的基于有机基板技术的封装工艺,其特征在于:

所述芯片安装于所述金属槽内,是通过点胶倒装贴芯片将所述芯片安装于所述金属槽内的。

5.根据权利要求1所述的基于有机基板技术的封装工艺,其特征在于:

所述在有机基板的第二主面一侧形成连接所述芯片的连接垫片的封装管脚,包括,

减薄所述有机基板的位于第二主面侧的金属层;

自减薄后的有机基板的第二主面进行盲孔的制作,所述盲孔与所述芯片上的连接垫片相对准并延伸至对应的连接垫片;

对形成有盲孔的有机基板的第二主面进行化铜全板以及所述盲孔的填孔电镀;

对填控电镀后的有机基板的第二主面进行线路层制作以及阻焊处理;

阻焊处理后在所述第二主面植入焊球。

6.一种封装结构,其特征在于:包括,

有机基板,所述有机基板具有第一主面和第二主面,在所述有机基板的第一主面上形成有金属槽;

芯片,其设置于所述金属槽内,其具有端面以及与所述端面相对的另一面,所述芯片包括有位于与所述端面相对的另一面的若干连接垫片;

芯片载板,所述芯片载板设置于所述芯片的端面以及所述第一主面上;

形成于所述有机基板的第二主面一侧的外部管脚;

与所述芯片的对应连接垫片和相应的外部管脚电性连接的内部连线,所述内部连线延伸穿过所述有机基板;

位于所述有机基板的第二主面一侧的阻隔各个内部连线的阻焊层。

7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于:所述芯片载板的厚度为10μm~100μm。

8.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于:所述芯片设置于所述金属槽内,所述芯片的端面与所述第一主面处于同一水平面。

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