[发明专利]高效率石英双层错移光栅

说明书

技术领域

本专利涉及高效率石英双层错移光栅，特别是一种用于1310纳米波长的垂直入射TE偏振的高效率石英双层错移光栅。 

背景技术

光偏转器是光学系统中的基本元件，在光学系统中有着重要的应用。在光通信、光信息处理、光计算、全息等等系统中有着不可替代的作用。传统的光偏转器，由于工艺复杂，成本昂贵，而且激光破坏阈值不高。今年来兴起的电光晶体作为光偏转，也同样存在着成本高，制造困难等缺点。熔融石英是一种理想的光栅材料，它具有高光学质量：稳定的性能、高损伤阈值和从深紫外到远红外的宽透射谱，并且由熔融石英设计制作高效率分束光栅，结构简单，工艺流程简单。因此，刻蚀高密度深刻蚀熔融石英光栅作为新型的光偏转器件具有广泛的应用前景。对石英光栅，一种较为常见的光入射方式是垂直入射，即入射角是零度。 

Anduo Hu等人设计了一种布拉格角入射下的高效率反射式石英-1级高效率衍射光栅，其TE反射效率在200纳米波长范围内高于92%【在先技术1：Anduo Hu et al.,J.Opt.14,055705(2012)】。以上光栅是基于在布拉格角入射的矩形反射式光栅，当光垂直的照在倾斜光栅上，由于双层光栅在结构上存在不对称的特性，透射光能量会存在不对称分布，可以实现-1级高效率的透射。 

双层光栅是利用微电子深刻蚀工艺，在基底上加工出的具有矩形槽形的光栅组合到一起的。高密度双层光栅的衍射理论，不能由简单的标量光栅衍射方程来解释，而必须采用矢量形式的麦克斯韦方程并结合边界条件，通过编码的计算机程序精确地计算出结果。Moharam等人已给出了严格耦合波理论的算法【在先技术2：M.G.Moharam et al.,J.Opt.Soc.Am.A.12,1077(1995)】，可以解决这类高密度光栅的衍射问题。但据我们所知，目前为止，还没有人针对常用1310纳米波长给出在熔融石英基片上实现垂直入射-1级高效率透射的设计。 

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种用于1310纳米波长的TE偏振的垂直入射的高效率石英双层错移光栅。当TE偏振光垂直入射时，该光栅可以使入射光能量主要分布在-1 级透射光上，-1级透射光的最高效率大于97%。因此，该光栅具有重要的实用价值。 

本发明的技术解决方案如下： 

一种用于1310纳米波长的TE偏振的垂直入射的高效率石英双层错移光栅，该光栅的光栅周期为1760～1770纳米，占空比为0.582，偏移量为565～575纳米，总的光栅深度为2810～2830纳米，上下光栅结构参数相同。 

最佳的光栅周期为1764.9纳米，偏移量为571.8纳米，占空比为0.582，总的光栅深度为2821.3纳米，上下光栅结构参数相同。 

本发明的技术效果如下： 

特别是当光栅的光栅周期为1764.9纳米，偏移量为571.8纳米，占空比为0.582，总的光栅深度为2821.3纳米，上下光栅结构参数相同。-1级透射光的衍射效率最大值大于97%。本发明具有使用灵活方便、均匀性较好、衍射效率较高等优点，是一种非常理想的衍射光学元件，利用电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺，可以大批量、低成本地生产，刻蚀后的光栅性能稳定、可靠，具有重要的实用前景。 

附图说明

图1是本发明1310纳米波长的TE偏振垂直入射的高效率石英双层错移光栅的几何结构。 

图中，1代表区域1（折射率为n₁），2代表区域2（折射率为n₂），3代表入射光，4代表TE偏振模式下的出射光。d为光栅周期，b为脊宽，h为光栅深度，x为偏移量。 

图2是本发明要求范围内的高效率石英双层错移石英光栅（石英的折射率为1.45）光栅周期为1764.9纳米，偏移量为571.8纳米，占空比为0.582，总的光栅深度为2821.3纳米，上下光栅深度相同，衍射效率随波长变化的曲线。 

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明，但不应以此限制本发明的保护范围。