[发明专利]集成CMOS温度传感器的温度校准装置和方法有效

专利信息
申请号: 201310454640.5 申请日: 2013-09-27
公开(公告)号: CN103528714B 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: 李鹏;丁学欣 申请(专利权)人: 上海贝岭股份有限公司
主分类号: G01K15/00 分类号: G01K15/00
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 刘锋;黄小栋
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 集成 cmos 温度传感器 温度 校准 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种集成CMOS温度传感器的温度校准装置,包括CMOS温度传感器,该CMOS温度传感器包括:

第一温度表征量输出电路,用于根据第一输入电流及该第一输入电流的倍数,输出第一温度表征量;

第二温度表征量输出电路,用于根据第二输入电流,输出第二温度表征量,该第一温度表征量和该第二温度表征量决定一个温度系数,该CMOS温度传感器的温度读出值与该温度系数呈线性关系;

其特征在于,该温度校准装置还包括:

斜率寄存器,用于寄存该线性关系中的斜率默认值;

截距寄存器,用于寄存该线性关系中的截距默认值;

数据处理单元,其与该集成CMOS温度传感器、该斜率寄存器和该截距寄存器相连接,用于根据该线性关系,确定所述温度读出值;

温度值寄存器,其与该数据处理单元相连接,用于寄存所述温度读出值;

电流调整寄存器,用于寄存电流调整参数;

解码器,其与该电流调整寄存器和该CMOS温度传感器相连接,用于对该电流调整参数进行解码,并利用解码后的电流调整参数对该第二输入电流进行调整。

2.根据权利要求1所述的集成CMOS温度传感器的温度校准装置,其特征在于,所述数据处理单元为微处理器。

3.根据权利要求1或2所述的集成CMOS温度传感器,其特征在于,

所述第一温度表征量输出电路包括并联的第一三极管和第二三极管,并且该第一三极管连接有第一镜像电流源,该第二三极管连接有第二镜像电流源;

所述第二温度表征量输出电路包括第三三极管,该第三三极管连接有第三镜像电流源。

4.一种集成CMOS温度传感器的温度校准方法,该集成CMOS温度传感器包括:第一温度表征量输出电路,用于根据第一输入电流及该第一输入电流的倍数,输出第一温度表征量;第二温度表征量输出电路,用于根据第二输入电流,输出第二温度表征量,该第一温度表征量和该第二温度表征量决定一个温度系数,该CMOS温度传感器的温度读出值与该温度系数呈线性关系;其特征在于,该方法包括以下步骤:

S100,确定该线性关系的斜率默认值和截距默认值,并确定一个电流调整参数默认值,该电流调整参数默认值经过解码后,用于控制所述第二输入电流;

S200,选取一个测温点,根据该线性关系得到该测温点下的该温度读出值;

S300,根据该测温点和该温度读出值,对该电流调整参数默认值进行调整,直至该测温点和该温度读出值相等。

5.根据权利要求4所述的集成CMOS温度传感器的温度校准方法,其特征在于,

所述第一温度表征量输出电路包括并联的第一三极管和第二三极管,并且该第一三极管连接有第一镜像电流源,该第二三极管连接有第二镜像电流源;

所述第二温度表征量输出电路包括第三三极管,该第三三极管连接有第三镜像电流源。

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