[发明专利]OLED显示面板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号: | 201310454569.0 | 申请日: | 2013-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN103500754B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
| 发明(设计)人: | 黄维 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,所述OLED显示面板包括OLED发光结构、TFT背板以及位于所述OLED发光结构和所述TFT背板之间的绝缘层,其特征在于,在所述OLED发光结构的光线出射方向上,所述绝缘层的折射率逐渐变低。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED发光结构为底发光结构,所述绝缘层为所述OLED显示面板的像素界定层,从所述OLED发光结构的阴极到阳极的方向上,所述像素界定层的折射率逐渐变低。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素界定层由一种以上具有单个感光基团的树脂材料和一种以上具有多个感光基团的树脂材料组成,所述多个感光基团的树脂材料的折射率大于所述单个感光基团的树脂材料的折射率,其中,从所述OLED发光结构的阴极到阳极的方向上,所述具有多个感光基团的树脂材料在所述像素界定层中的浓度逐渐变低。
4.根据权利要求3所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素界定层的折射率在1.4-2.0之间。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板具体包括:
第一基板;
形成在所述第一基板上包括有源电极、漏电极和栅电极的TFT;
形成在所述TFT上包括有钝化层过孔的钝化层;
形成在所述钝化层上的彩色滤光单元;
形成在所述彩色滤光单元上包括有保护层过孔的保护层,所述保护层过孔与所述钝化层过孔相对应;
形成在所述保护层上的所述OLED发光结构的阳极,所述阳极通过所述钝化层过孔和所述保护层过孔与所述TFT的漏电极连接;
形成在所述阳极上的所述像素界定层的图形,以及位于相邻像素界定层之间的所述OLED发光结构的有机发光层;
形成在所述像素界定层和所述有机发光层上的所述OLED发光结构的阴极。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一项所述的OLED显示面板。
7.一种OLED显示面板的制作方法,所述OLED显示面板包括OLED发光结构和TFT背板,其特征在于,所述制作方法包括:形成位于所述OLED发光结构和所述TFT背板之间的绝缘层,其中,在所述OLED发光结构的光线出射方向上,所述绝缘层的折射率逐渐变低。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述OLED发光结构为底发光结构,所述形成位于所述OLED发光结构和所述TFT背板之间的绝缘层包括:
形成所述OLED显示面板的像素界定层,其中,从所述OLED发光结构的阴极到阳极的方向上,所述像素界定层的折射率逐渐变低。
9.根据权利要求8所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述形成所述OLED显示面板的像素界定层包括:
将混合溶液形成在形成有所述阳极的基板上,形成混合溶液薄膜,所述混合溶液包括有一种以上具有单个感光基团的树脂材料、一种以上具有多个感光基团的树脂材料、能够吸收紫外光以及波长小于预设值的可见光的吸光材料,所述多个感光基团的树脂材料的折射率大于所述单个感光基团的树脂材料的折射率;
对所述混合溶液薄膜进行曝光,通过构图工艺形成由所述混合溶液薄膜组成的像素界定层的图形;
对所述像素界定层的图形进行固化,形成所述像素界定层,其中,从所述OLED发光结构的阴极到阳极的方向上,所述具有多个感光基团的树脂材料在所述像素界定层中的浓度逐渐变低。
10.根据权利要求8或9所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法具体包括:
提供一第一基板;
在所述第一基板上形成包括有源电极、漏电极和栅电极的TFT;
在所述TFT上形成包括有钝化层过孔的钝化层;
在所述钝化层上形成彩色滤光单元;
在所述彩色滤光单元上形成包括有保护层过孔的保护层,所述保护层过孔与所述钝化层过孔相对应;
在所述保护层上形成所述OLED发光结构的阳极,所述阳极通过所述钝化层过孔和所述保护层过孔与所述TFT的漏电极连接;
在所述阳极上形成所述像素界定层的图形,以及位于相邻像素界定层之间的所述OLED发光结构的有机发光层;
在所述像素界定层和所述有机发光层上形成所述OLED发光结构的阴极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





