[发明专利]一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法

权利要求书

1.一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法，其特征在于，先将含水硝酸盐在260-280℃脱水处理20-30min，去除硝酸盐中的结晶水后，然后将无水硝酸盐烧结助剂在无水乙醇试剂中球磨分散1-1.5h，再添加粒径为1-1.5μm、比表面积为3.0m²/g的AlN粉体，湿法球磨2-3h，制成浆料；浆料在120-140℃干燥1-2h，过60-80目筛后，放入马弗炉中，在空气气氛中、640-680℃温度下煅烧20-30min，煅烧后的粉体过60-80目筛，再添加成形剂，在90-100℃水浴锅内均匀加热，每2-3 min搅拌一次，共水浴50-60 min；待冷却到室温后再过60-80目筛，混合粉采用单向压制方式成形，580-600℃保温20-30min，排胶，最后烧结，随炉冷却得到高热导率AlN陶瓷基板。

2.根据权利要求1所述的一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述的含水硝酸盐选自商用六水硝酸钇、四水硝酸钙中的一种或两种，其质量为AlN粉体的15-20%。

3.根据权利要求1所述的一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述的无水乙醇与无水硝酸盐的重量比为4-5：1。

4.根据权利要求1所述的一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述的成形剂为固体石蜡，其质量为AlN粉体的8-12%。

5.根据权利要求1所述的一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述的压制成形压力为65-70 MPa，保压4-7s。

6.根据权利要求1所述的一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述的烧结是在N₂保护气氛中进行，升温速率8 -10℃/min，烧结温度1600 -1800℃，保温3-5 h。