[发明专利]积层陶瓷电容器

说明书

技术领域

本发明涉及一种积层陶瓷电容器，其具备具有介隔介电体层积层有多个内部电极层的构造的电容器主体。

背景技术

对于这种积层陶瓷电容器的小型化及大电容化的需求依然高，为了满足该需求，内部电极层与介电体层的进一步薄层化将不可避免。然而，如果介电体层的薄层化不断进展，那么积层陶瓷电容器的CR积(静电容量C与绝缘电阻R的积)降低的危险性会升高。顺带提一下，CR积作为表现积层陶瓷电容器的特性的数值而广为人知，一般而言，其下限值是根据标称静电容量而被设定。

在下述专利文献1中记载着一种发明，该发明通过限制厚度为2.5μm以下的介电体层中所含的介电体层结晶的粒径及体积比例来谋求CR积的降低抑制，但由于要准确地限制介电体层结晶的粒径及体积比例在与制法相关的方面有困难，故有无法如期待的那般抑制CR积的降低之虞。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2001-338828号公报

发明内容

[发明所欲解决的问题]

本发明的目的在于提供一种积层陶瓷电容器，其即便介电体层的薄层化不断进展，例如即便介电体层的厚度达到1.0μm以下，也可以确切地抑制CR积的降低。

[解决问题的技术手段]

为了达成所述目的，本发明是一种积层陶瓷电容器，具备电容器主体，所述电容器主体具有多个内部电极层层间夹着介电体层的结构，且当将由在积层方向上邻接的2个内部电极层与介置在该2个内部电极层之间的1个介电体层所构成的部分理解为单位电容器时，沿积层方向排列的多个单位电容器的静电容量形成了从积层方向两侧向内侧逐渐增加且从两增加顶点向积层方向中央逐渐减少的分布。

[发明的效果]

根据本发明，可以提供一种积层陶瓷电容器，其即便介电体层的薄层化不断进展，例如即便介电体层的厚度达到1.0 μm以下，也可以确切地抑制CR积的降低。

本发明的所述目的及其他目的、和与各目的相应的特征及效果根据以下的说明与随附图式而变得明确。

附图说明

图1(A)是应用了本发明的积层陶瓷电容器的纵截面图，图1(B)是该积层陶瓷电容器的沿着图1(A)的B-B线的横截面图，图1(C)是表示该积层陶瓷电容器的等效电路的图，图1(D)是表示该积层陶瓷电容器中的单位电容器的静电容量分布的图。

图2是表示与图1的积层陶瓷电容器对应的样品中的单位电容器的静电容量分布的图。

图3是表示与图1的积层陶瓷电容器对应的样品的规格及特性的图。

[符号的说明]

10    积层陶瓷电容器

11    电容器主体

12    内部电极层

13    介电体层

14    外部电极

UC    单位电容器

具体实施方式

《积层陶瓷电容器的构造与积层陶瓷电容器中的单位电容器的静电容量分布》

首先，引用图1(A)～图1(D)，对应用了本发明的积层陶瓷电容器10的构造、与该积层陶瓷电容器10中的单位电容器的静电容量分布进行说明。

图1(A)及图1(B)所示的积层陶瓷电容器10包括大致长方体形状的电容器主体11、与设置在该电容器主体11的长度方向两端部的一对外部电极14，且具有长度>宽度=高度、或者长度>宽度>高度的基准尺寸关系。顺带提一下，长度相当于图1(A)中的左右方向的尺寸，宽度相当于图1(B)中的上下方向的尺寸，高度相当于图1(A)中的上下方向的尺寸。

电容器主体11具有如下构造，也就是，共计20个内部电极层12介隔介电体层13(共计19个)积层，且在最上位的内部电极层12的上侧与最下位的内部电极层12的下侧设置着仅积层多个介电体层13而构成的上侧保护部与下侧保护部(无符号)。另，由于各内部电极层12的宽度小于介电体层13的宽度，故在电容器主体11的宽度方向的一侧及另一侧存在仅由多个介电体层13构成的边缘(margin)(无符号)。顺带提一下，在图1(A)及图1(B)中，为方便图示起见而将内部电极层12的数量设为20，但满足小型化及大电容化的需求的实际的积层陶瓷电容器的内部电极层的数量达到100以上。