[发明专利]触控式有机发光二极管显示装置及其制作方法无效
| 申请号： | 201310452236.4 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103531608A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张文林;曹占锋;孙双 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 孟宪功 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 触控式 有机 发光二极管 显示装置 及其 制作方法 | ||
1.一种触控式有机发光二极管显示装置，包括形成在基板一侧的薄膜晶体管，其特征在于：在所述薄膜晶体管上形成有触控信号反馈层，在所述触控信号反馈层上设置发光基板，所述发光基板的阳极层与所述薄膜晶体管的漏极连接，在所述基板的另一侧形成有触控信号接收层。
2.根据权利要求1所述的触控式有机发光二极管显示装置，其特征在于：
所述薄膜晶体管上形成有保护层；
在所述保护层上形成所述触控信号反馈层；
在所述触控信号反馈层上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上设有第一过孔，在所述保护层上设有第二过孔，所述阳极层形成于所述层间绝缘层上，并通过所述第一过孔及第二过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。
3.根据权利要求1或2所述的触控式有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述发光基板包括依次形成于所述阳极层上的发光层和阴极层。
4.根据权利要求3所述的触控式有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述阳极层的厚度为
5.根据权利要求3所述的触控式有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述触控信号接收层和触控信号反馈层均由ITO制成。
6.根据权利要求5所述的触控式有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述触控信号接收层的厚度为所述触控信号反馈层的厚度为
7.根据权利要求2所述的触控式有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述保护层的材料为SiOx或SiNx。
8.一种触控式有机发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于：包括：
在基板的一侧形成触控信号接收层的图形；
在所述基板的另一侧形成包括漏极的薄膜晶体管图形；
在所述薄膜晶体管上形成触控信号反馈层的图形；
在所述触控信号反馈层上形成包括阳极层的发光基板的图形，所述阳极层与所述漏极连接。
9.根据权利要求8所述的触控式有机发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于：包括通过构图工艺形成的以下图形：
在所述薄膜晶体管的源极及漏极上形成具有第二过孔的保护层的图形；
在所述保护层上形成所述触控信号反馈层的图形；
在所述触控信号反馈层上形成具有第一过孔的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成所述阳极层的图形，且所述阳极层通过所述第一过孔及第二过孔与所述漏极连接。
10.根据权利要求9所述的触控式有机发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于：在所述阳极层上依次通过构图工艺形成发光层的图形和阴极层的图形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310452236.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
