[发明专利]大规模直接合成高导电率硫化镍二维纳米片阵列的方法

权利要求书

1.一种大规模直接合成高导电率硫化镍二维纳米片阵列的方法，其特征是，包括：

（1）合成黄原酸镍前驱体；

（2）硫化镍二维纳米片阵列的制备：将黄原酸镍前驱体粉末放入加热装置中加热到160-360℃，保温10-300分钟，即能够在黄原酸镍前驱体附近的基片上有硫化镍二维纳米片阵列生成。

2.如权利要求1所述的方法，其特征是，所述黄原酸镍前驱体为不同链长的烷基，即乙基黄原酸镍、丙基黄原酸镍、异丙基黄原酸镍、丁基黄原酸镍、异丁基黄原酸镍、叔丁基黄原酸镍、戊基黄原酸镍、异戊基黄原酸镍和叔戊基黄原酸镍中的一种或几种的混合物。

3.如权利要求1所述的方法，其特征是，所述加热装置为鼓风干燥箱、真空干燥箱、箱式退火炉、管式退火炉或加热烤板。

4.如权利要求1所述的方法，其特征是，所述加热能够在不同的气氛中进行，即空气、真空、氮气、氩气或氢气，或者前述几种气体的混合气体。

5.如权利要求1所述的方法，其特征是，所述基片为刚性衬底，即玻璃片或硅片；或为柔性衬底，即金属薄片或塑料片。