[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

本申请的实施例涉及一种在用于照明或显示的背光单元中使用的发光器件。

背景技术

这里，将提供本申请实施例的现有技术，该现有技术不一定必然是公知的。

发光器件（LED）是用于将电能转换成光的半导体器件。与现有光源（例如，荧光灯、白炽灯等）相比，LED的功耗低、具有半永久性寿命、响应速度快、安全以及环境友好。由于这些原因，许多研究都致力于用LED替代现有光源。LED现在被逐渐地用作照明器件的光源（例如，在室内和室外使用的各种灯、液晶显示器件、电子招牌以及路灯等）。

一般，使用LED的发光器件包括：两种电极图案，其被布置在衬底上；模铸壳体（mold housing），在其内部容纳电极图案的一部分，并被注入模铸，使得腔体形成以用作光发射器的填充空间；热沉层，其被布置在腔体中的电极图案上；LED芯片，其被布置在热沉层上；以及接合线，其将电极图案和LED芯片电连接。这里，光发射器通过填充空腔来密封LED芯片。取决于待实现的LED芯片的颜色，光发射器可以包括磷光体（phosphor）或可以由透明树脂形成。

发明内容

本申请实施例的目的之一是提供一种能够提高电极图案与LED芯片之间的安装力的发光器件。

一个实施例是一种发光器件。该发光器件包括：衬底，包括第一电极和第二电极；LED芯片，布置在第一电极上；以及坝体，布置在衬底上，其中坝体被布置为与LED芯片间隔开，其中衬底包括直接铜接合（DCB）衬底，该DCB衬底包含第一铜层和第二铜层，以及其中第一电极和第二电极分别包括填充其表面的孔隙的金属膜。

通过将金属膏涂敷到所述孔隙所在的表面上然后通过将所述金属膏干燥、烧结以及平坦化来布置所述金属膜。

金属膜可以包括Au和Ag中至少之一。

LED芯片可以被布置在第一电极的金属膜上，并且其中LED芯片和第一电极的金属膜通过粘合剂彼此接合。

粘合剂可以包括AuSn。

发光器件还可以包括将LED芯片与第二电极的金属膜连接的接合线。

发光器件还可以包括用来激励从LED芯片发出的光的磷光体。

磷光体可以被布置在LED芯片上。

磷光体可以包括从由如下磷光体组成的组中选出的至少一种磷光体：基于硅酸盐的磷光体、基于硫化物的磷光体、基于YAG的磷光体、基于TAG的磷光体以及基于氮化物的磷光体。

坝体可以是绝缘材料。

坝体的高度可以大于LED芯片的高度。

发光器件还可以包括形成在第一电极和第二电极上的封装层（encapsulation layer）。

封装层可以是透光保护树脂。

发光器件还可以包括布置在第一电极和第二电极上方的防反射玻璃。

防反射玻璃可以与衬底平行。

防反射玻璃可以被布置在坝体上。

防反射玻璃可以被布置为与磷光体间隔开。

防反射玻璃可以包括膜。

发光器件还可以包括布置在第一铜层的表面上的防腐层。

衬底还可以包括衬底主体。

衬底主体可以被布置在第一铜层与第二铜层之间。

第二电极和安装在第一电极上的LED芯片可以彼此电连接。

坝体可以具有半球形、半椭圆形、半圆形、四边形以及具有上削边（upper chamfered edge）的四边形的任何一种形状。

在本申请的发光器件中，金属膜被布置成填充孔隙，该孔隙已位于第一电极图案的表面（其上安装有LED芯片）中以及第二电极图案的表面（连接至电极图案的接合线接合至该第二电极图案）中。因此，可以提高第一电极图案与LED芯片之间的安装力。而且，也可以提高第二电极图案与接合线之间的接合力。

附图说明

可以参考下列附图来具体描述配置和实施例，所述附图中相似的附图标记表示相似的元件，且其中：

图1为根据第一实施例的发光器件的剖视图；

图2为示出由图1中‘A’所示部分的放大的剖视图；

图3A至图3C为用于描述形成图1的DCB衬底的金属膜的方法的剖视图；

图4为示出由图1中‘B’所示部分的放大的剖视图；

图5为根据第二实施例的发光器件的剖视图；以及

图6为示出图5中的LED芯片和透镜彼此耦接的发光器件的示意图。

具体实施方式