[发明专利]电光学装置、电光学装置用基板及电子设备有效
申请号: | 201310451090.1 | 申请日: | 2009-09-18 |
公开(公告)号: | CN103558709A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 川上泰 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1343 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 装置 用基板 电子设备 | ||
1.一种电光学装置,其特征在于,包含:
第1基板;
第2基板,其与所述第1基板对置地配置,使光透过;
液晶,其配置在所述第1基板与所述第2基板之间;
第1电极,其配置在所述第1基板与所述液晶之间,对光进行反射;
第2电极,其配置在所述第2基板与所述液晶之间,使光透过;
第1电介质层,其配置在所述第1电极与所述液晶之间;和
第2电介质层,其配置在所述第2电极与所述液晶之间,
所述第1电介质层,包含具有第1折射率的第1折射率层和具有比所述第1折射率大的第2折射率的第2折射率层,
所述第1折射率层配置在所述第2折射率层与所述第1电极之间。
2.根据权利要求1所述的电光学装置,其特征在于,
还包含配置在所述第1电介质层与所述液晶之间的第1取向膜。
3.根据权利要求1或2所述的电光学装置,其特征在于,
还包含配置在所述第2电介质层与所述液晶之间的第2取向膜。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的电光学装置,其特征在于,
所述第1电极是像素电极,
所述第2电极是公共电极。
5.根据权利要求4所述的电光学装置,其特征在于,
所述第1电极含有铝。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的电光学装置,其特征在于,
所述第1折射率不足1.7,所述第2折射率是1.7或1.7以上。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的电光学装置,其特征在于,
所述第1电介质层,将所述第1折射率层与所述第2折射率层的组层叠多个而形成。
8.根据权利要求4或5所述的电光学装置,其特征在于,
所述像素电极包含第1像素电极与第2像素电极,
在所述第1像素电极以及所述第2像素电极、与所述第1基板之间,配置有第1绝缘层,
在所述第1像素电极与所述第2像素电极之间,配置有第2绝缘层,
与所述第1像素电极、所述第2像素电极、以及所述第2绝缘层相接地配置所述第1折射率层。
9.根据权利要求8所述的电光学装置,其特征在于,
在所述第1绝缘层的开口配置有塞子,
所述第1像素电极,经由所述塞子与晶体管电连接。
10.一种电光学装置用基板,其特征在于,包含:
第1基板;
第1电极,其对光进行反射;和
第1电介质层,其被配置成覆盖所述第1电极,
所述第1电介质层,包含具有第1折射率的第1折射率层和具有比所述第1折射率大的第2折射率的第2折射率层,
所述第1折射率层配置在所述第2折射率层与所述第1电极之间。
11.根据权利要求10所述的电光学装置用基板,其特征在于,
还包含被配置成覆盖所述第1电介质层的第1取向膜。
12.根据权利要求10或11所述的电光学装置用基板,其特征在于,
所述第1电极是像素电极。
13.根据权利要求12所述的电光学装置用基板,其特征在于,
所述第1电极含有铝。
14.根据权利要求10~13中任一项所述的电光学装置用基板,其特征在于,
所述第1折射率不足1.7,所述第2折射率是1.7或1.7以上。
15.根据权利要求10~14中任一项所述的电光学装置用基板,其特征在于,
所述第1电介质层,将所述第1折射率层和所述第2折射率层的组层叠多个而形成。
16.根据权利要求12或13所述的电光学装置用基板,其特征在于,
所述像素电极包含第1像素电极与第2像素电极,
在所述第1像素电极以及所述第2像素电极、与所述第1基板之间,配置有第1绝缘层,
在所述第1像素电极与所述第2像素电极之间,配置有第2绝缘层,
与所述第1像素电极、所述第2像素电极、以及所述第2绝缘层相接地配置所述第1折射率层。
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