[发明专利]电光学装置、电光学装置用基板及电子设备有效

专利信息
申请号: 201310451090.1 申请日: 2009-09-18
公开(公告)号: CN103558709A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 川上泰 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1343
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘建
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光学 装置 用基板 电子设备
【权利要求书】:

1.一种电光学装置,其特征在于,包含:

第1基板;

第2基板,其与所述第1基板对置地配置,使光透过;

液晶,其配置在所述第1基板与所述第2基板之间;

第1电极,其配置在所述第1基板与所述液晶之间,对光进行反射;

第2电极,其配置在所述第2基板与所述液晶之间,使光透过;

第1电介质层,其配置在所述第1电极与所述液晶之间;和

第2电介质层,其配置在所述第2电极与所述液晶之间,

所述第1电介质层,包含具有第1折射率的第1折射率层和具有比所述第1折射率大的第2折射率的第2折射率层,

所述第1折射率层配置在所述第2折射率层与所述第1电极之间。

2.根据权利要求1所述的电光学装置,其特征在于,

还包含配置在所述第1电介质层与所述液晶之间的第1取向膜。

3.根据权利要求1或2所述的电光学装置,其特征在于,

还包含配置在所述第2电介质层与所述液晶之间的第2取向膜。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的电光学装置,其特征在于,

所述第1电极是像素电极,

所述第2电极是公共电极。

5.根据权利要求4所述的电光学装置,其特征在于,

所述第1电极含有铝。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的电光学装置,其特征在于,

所述第1折射率不足1.7,所述第2折射率是1.7或1.7以上。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的电光学装置,其特征在于,

所述第1电介质层,将所述第1折射率层与所述第2折射率层的组层叠多个而形成。

8.根据权利要求4或5所述的电光学装置,其特征在于,

所述像素电极包含第1像素电极与第2像素电极,

在所述第1像素电极以及所述第2像素电极、与所述第1基板之间,配置有第1绝缘层,

在所述第1像素电极与所述第2像素电极之间,配置有第2绝缘层,

与所述第1像素电极、所述第2像素电极、以及所述第2绝缘层相接地配置所述第1折射率层。

9.根据权利要求8所述的电光学装置,其特征在于,

在所述第1绝缘层的开口配置有塞子,

所述第1像素电极,经由所述塞子与晶体管电连接。

10.一种电光学装置用基板,其特征在于,包含:

第1基板;

第1电极,其对光进行反射;和

第1电介质层,其被配置成覆盖所述第1电极,

所述第1电介质层,包含具有第1折射率的第1折射率层和具有比所述第1折射率大的第2折射率的第2折射率层,

所述第1折射率层配置在所述第2折射率层与所述第1电极之间。

11.根据权利要求10所述的电光学装置用基板,其特征在于,

还包含被配置成覆盖所述第1电介质层的第1取向膜。

12.根据权利要求10或11所述的电光学装置用基板,其特征在于,

所述第1电极是像素电极。

13.根据权利要求12所述的电光学装置用基板,其特征在于,

所述第1电极含有铝。

14.根据权利要求10~13中任一项所述的电光学装置用基板,其特征在于,

所述第1折射率不足1.7,所述第2折射率是1.7或1.7以上。

15.根据权利要求10~14中任一项所述的电光学装置用基板,其特征在于,

所述第1电介质层,将所述第1折射率层和所述第2折射率层的组层叠多个而形成。

16.根据权利要求12或13所述的电光学装置用基板,其特征在于,

所述像素电极包含第1像素电极与第2像素电极,

在所述第1像素电极以及所述第2像素电极、与所述第1基板之间,配置有第1绝缘层,

在所述第1像素电极与所述第2像素电极之间,配置有第2绝缘层,

与所述第1像素电极、所述第2像素电极、以及所述第2绝缘层相接地配置所述第1折射率层。

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