[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括多个呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元包括透光区域和非透光区域，所述透光区域包括像素电极，所述非透光区域包括薄膜晶体管、扫描线和数据线，其特征在于，

所述像素电极位于所述薄膜晶体管所在层的上方，且所述像素电极部分或全部覆盖所述非透光区域；

所述像素单元还包括设置在所述薄膜晶体管所在层上方的、与像素电极绝缘设置的发光结构，所述发光结构的覆盖区域与所述像素电极的覆盖区域相对应，用于提供背光源。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光结构与公共电极线连接，用于充当阵列基板的公共电极。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述发光结构包括：设置在像素电极上方的阴极，设置在阴极上方的发光材料层，以及设置在所述发光材料层上方的阳极，其中，所述阳极连接公共电极线；

或者，所述发光结构包括：设置在像素电极上方的阳极，设置在阳极上方的发光材料层，以及设置在所述发光材料层上方的阴极，其中，所述阳极连接公共电极线。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述发光结构位于所述像素电极的上方，所述发光结构为狭缝状，所述像素电极为板状或狭缝状；

或者，所述发光结构位于所述像素电极的下方，所述发光结构为狭缝状或板状，所述像素电极为狭缝状。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层的厚度为6000～8000埃。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述薄膜晶体管所在层与像素电极之间的钝化层。

7.如权利要求1～6任一权项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在像素电极与发光结构之间的第二钝化层。

8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1～7任一权项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制作方法，所述方法包括形成数据线、扫描线、像素电极的步骤和形成薄膜晶体管的步骤，所述像素电极形成在像素单元的透明区域，所述薄膜晶体管、扫描线和数据线形成在所述像素单元的非透明区域，其特征在于，

所述像素电极位于所述薄膜晶体管所在层的上方，且所述像素电极部分或全部覆盖所述非透光区域；

所述方法还包括形成发光结构的步骤，所述发光结构位于所述薄膜晶体管所在层的上方，与所述像素电极绝缘设置，所述发光结构的覆盖区域与所述像素电极的覆盖区域相对应，用于提供背光源。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成发光结构的步骤包括：

在所述像素电极的上方形成包括阴极的图形；在所述包括阴极的图形的上方形成包括发光材料层的图形；在所述包括发光材料层的图形的上方形成包括阳极的图形；

或者，在所述像素电极的上方形成包括阳极的图形；在所述包括阳极的图形的上方形成包括发光材料层的图形；在所述包括发光材料层的图形的上方形成包括阴极的图形。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在薄膜晶体管所在层的上方形成钝化层，所述钝化层位于所述薄膜晶体管所在层与像素电极之间。

12.如权利要求9～11任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在像素电极所在层的上方形成第二钝化层，所述第二钝化层位于像素电极与发光结构之间。