[发明专利]状态保持电源选通单元

说明书

一种状态保持电源选通单元，包括以两行或更多行布置的逻辑单元。所述逻辑单元具有有源层，所述有源层至少包括分别设置在第一和第二行中的第一阱和第二阱。在正常操作模式中，第一阱被以第一偏置电压供电，第二阱被以第二偏置电压供电，第一电源线被以VDDC供电，而第二电源线被以VDD供电。在待机模式中，第一阱优选被掉电，第二阱被以第二偏置电压供电，第一电源线被以VDDC供电，而第二电源线被掉电。

技术领域

本发明涉及包括逻辑单元的集成电路，尤其涉及状态保持电源选通单元。

背景技术

在当前的集成电路(IC)中，低功耗是一重要考虑，尤其对于其中电力储存有限的移动装置来说。就此而言，许多的电子装置具有正常操作模式和待机(或睡眠/休眠)模式，在正常操作模式中装置中的IC被供电从而使得它们能够正常操作，例如，以高速(频率)操作，而在待机状态下，IC的一部分(或者，甚至大部分)被掉电。然而，即使在掉电或睡眠状态下，某些电路的操作状态(相关联的信息)也必须被保持。

保持状态的一个方式是使用逻辑单元，例如，状态保持电源选通(SRPG)单元，来在处于待机或睡眠模式时保持必要的信息。一种SRPG单元具有两个电源。主电源(VDD)用于在操作模式下给逻辑单元供电，而辅助电源(VDDC)用于在待机或睡眠模式下给电路的关闭的部分供电。SRPG单元是本领域中公知的，并且典型的SRPG单元可以是触发器，诸如，例如级联的RS触发器。

至于单元布局，所述单元可以以单行或多行布置，也就是说，SRPG单元中的电路可以布置到单行或多行中。具有一行布置的SRPG单元常常被称为单行高度SRPG单元，而具有多行布置的SRPG单元被称为多行高度SRPG单元。

在当前的SRPG单元中，第二电源VDDC消耗大量的路由资源，这导致高路由拥塞以及低的栅极海(Sea of Gates，SOG)利用性。SOG的低的利用性可以导致需要增加的管芯(die)大小。另外，电路中的某些部分，例如，SRPG单元的MOS晶体管在待机模式中被持续地供电，导致相对高的阱泄漏。

发明内容

根据本公开一个实施例，提供了一种用于集成电路的逻辑单元，其中所述逻辑单元以两行或更多行布置，所述逻辑单元包括：有源层，其包括具有第一导电类型的阱，所述阱包括位于第一行中的第一阱和位于不同的第二行中的第二阱；多个半导体装置，其形成在所述有源层中和所述有源层上，并且被布置在所述两行或更多行中，其中所述多个半导体装置包括部分地形成在所述第一阱中的至少一个第一半导体装置和部分地形成在所述第二阱中的至少一个第二半导体装置；仅用于所述第一行的第一电源线，其中所述第一半导体装置的一个电流端子耦接到所述第一电源线；以及用于所述第二行的第二电源线，其中所述第二半导体装置的一个电流端子耦接到所述第二电源线；其中在第一操作模式中以及在不同的第二操作模式中，所述第一阱被以第一偏置电压供电，而在所述第一操作模式中，所述第二阱被以不同的第二偏置电压供电；其中在所述第一操作模式和第二操作模式两者中，所述第一电源线被以第一电源电压供电；并且其中在所述第一操作模式中，所述第二电源线被以与所述第一电源电压不同的第二电源电压供电，并且在所述第二操作模式中，所述第二电源线被掉电。