[发明专利]用于作为周遭光传感器的光侦测器及用于制造其的方法

权利要求书

1.一种光侦测器，其特征在于，包括：

多个光电二极管区；

一光学滤光片，其覆盖该等光电二极管区中的一个或多个；

多个金属层，其位于该等光电二极管区与该光学滤光片之间，其中该多个金属层包括最接近于该光学滤光片的一最上金属层及最接近于该等光电二极管区的一最下金属层；及

一个或多个层间介电层，其将该等金属层彼此隔开；

其中该等金属层中的每一部分包括一个或多个金属部分及一个或多个介电部分；且

其中该最上金属层不含任何金属部分在该光学滤光片之下。

2.根据权利要求1所述的光侦测器，其特征在于，该等光电二极管区中的一个或多个未经该光学滤光片覆盖。

3.根据权利要求1所述的光侦测器，其特征在于，不含任何金属部分在该光学滤光片的该最上金属层部分之下，该最上金属层部分由该最上金属层的介电部分组成。

4.根据权利要求1所述的光侦测器，其特征在于，该光学滤光片的周边与该最上金属层的最接近金属部分之间的距离为至少20微米。

5.根据权利要求1所述的光侦测器，其特征在于，该多个光电二极管区包括一个或多个经该光学滤光片覆盖的第一光电二极管区，和一个或多个经光阻挡材料覆盖的第二光电二极管区；且

该光阻挡材料包含除该最上金属层以外的该等金属层中的一个或多个的一个或多个金属部分。

6.根据权利要求5所述的光侦测器，其特征在于，经该光阻挡材料覆盖的该一个或多个第二光电二极管区也经该光学滤光片覆盖。

7.根据权利要求5所述的光侦测器，其特征在于，该光阻挡材料包含该最下金属层的一个或多个金属部分。

8.根据权利要求5所述的光侦测器，其特征在于，位于该等光电二极管区与该光学滤光片之间的该多个金属层包含至少四个金属层；

该光阻挡材料包含最接近该等光电二极管区的该两个金属层中的至少一个金属层的一个或多个金属部分；且

最接近该光学滤光片的该两个金属层各自不含任何金属部分在该光学滤光片之下。

9.根据权利要求1所述的光侦测器，其特征在于，该光学滤光片的外部周边包括钝角且不含等于或小于90度的任何角度。

10.根据权利要求1所述的光侦测器，其特征在于，该光学滤光片包含经组态以抵挡红外IR光的介电反射性光学涂层滤光片。

11.根据权利要求1所述的光侦测器，其特征在于，

该多个光电二极管区包括一个或多个经该光学滤光片覆盖的第一光电二极管区，一个或多个经光阻挡材料覆盖的第二光电二极管区，及一个或多个未经该光学滤光片覆盖且未经该光阻挡材料覆盖的第三光电二极管区；且

该光阻挡材料包含除该最上金属层以外的该等金属层中的一个或多个金属层的一个或多个金属部分。

12.一种用于制造光侦测器的方法，该光侦测器包括使该光侦测器的光谱响应整形的一光学滤光片，该方法包含：

a.在多个光电二极管区上形成多个金属层，

其中该多个金属层包括最接近该等光电二极管区的一最下金属层及最远离该等光电二极管区的一最上金属层，且

其中该等金属层中的每一部分包括一个或多个金属部分及一个或多个介电部分；及

b.将一光学滤光片沉积在该最上金属层的至少一部分上以使得该光学滤光片覆盖该等光电二极管区中的一个或多个；

其中进行步骤a以使得在步骤b沉积之后该最上金属层不含任何金属部分在该光学滤光片之下。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，步骤a包含形成该多个金属层以使得除该最上金属层以外的该等金属层中的一个或多个的该等金属部分中的一个或多个阻挡光到达该等光电二极管区中的一个或多个。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，步骤b包含沉积该光学滤光片以使得该光学滤光片的外部周边包括钝角且不含等于或小于90度的任何角度。

15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，步骤b包含沉积经组态以挡阻红外IR光的介电反射性光学涂层滤光片。

16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，步骤b包含使用蒸发沉积制程沉积介电反射性光学涂层。