[发明专利]一种透明有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201310449925.X | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN104518133A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 周明杰;钟铁涛;王平;张振华 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域,尤其涉及一种透明有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是电光源中的一种。1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展,这一突破性进展使得有机电致发光器件(OLED)的研究得以在世界范围内迅速广泛地开展起来。
对于现有的有机电致发光器件(OLED),根据光的发射面的不同,可将其分为三类:底部发光有机电致发光器件(BOLED),顶部发光有机电致发光器件(TEOLED)和透明有机电致发光器件(TOLED)。透明有机电致发光器件
(TOLED)与顶部发光有机电致发光器件(TEOLED)和底部有机电致发光器件(BOLED)的不同之处在于:阴极和阳极都采用透明材料,从而使得发光器内产生的光从阴极和阳极两面同时射出。透明有机电致发光器件(TOLED)在加电时其两面都可发射光,而不加电时成透明状的特性,开辟了显示领域的一个特殊应用方向。但由于透明有机电致发光器件(TOLED)所采用的阴极和阳极材料的折射率有所不同,结果导致两面的出光效率差别较大,从而影响了透明有机电致发光器件(TOLED)在实际应用中的视觉效果。所以,如何缩小透明有机电致发光器件(TOLED)两面的出光效率之差是当今技术人员所要迫切解决的问题之一。
发明内容
为解决上述问题,本发明第一方面提供了一种透明有机电致发光器件,该透明器件设置的阳极包括第一阳极层和第二阳极层;设置的阴极的材料为铟锡氧化物;通过设置双层结构的阳极层,使得阳极面出光效率达到了阴极面出光效率的60%以上,使透明有机电致发光器件两面的出光效率之差缩小了,改善了透明有机电致发光器件在实际应用中的视觉效果;本发明第二方面还提供了透明有机电致发光器件的制备方法。
第一方面,本发明提供了一种透明有机电致发光器件,包括玻璃基底,以及在所述玻璃基底表面上依次层叠设置的阳极、有机发光功能层和阴极;
所述阳极包括依次层叠设置在所述玻璃基底表面上的第一阳极层和第二阳极层;所述第一阳极层的材料为(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷、(3-巯基乙基)三甲氧基硅烷、(3-巯基甲基)三甲氧基硅烷和O,O,O-三甲基-巯基硅烷中的至少一种;所述第二阳极层的材料为镁-银合金、锂-铝合金、单质钡和单质钙中的至少一种;
所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述第二阳极层表面上的空穴注入层、绿色发光层和电子注入层;
所述阴极的材料为铟锡氧化物。
第一阳极层可以增加光的透射率,第二阳极层中的金属本身的优异特性,可以提高电极的导电性能;通过设置双层结构的阳极层,使得阳极面出光效率达到了阴极面出光效率的60%以上,缩小了透明有机电致发光器件两面的出光效率之差,改善了透明有机电致发光器件在实际应用中的视觉效果;空穴注入层可以减小阳极材料与有机发光功能层材料间的空穴注入势垒,增加注入效率,进而提高透明器件的发光效率;电子注入层可以减小阴极材料与有机发光功能层材料间的电子注入势垒,增加注入效率,进而提高透明器件的发光效率。
优选地,所述镁-银合金中的镁、银质量比为8:1~13:1;所述锂-铝合金中的锂、铝质量比为1:0.005~1:0.01。
优选地,所述第一阳极层的厚度为2nm~4nm。
优选地,所述第二阳极层的厚度为10nm~20nm。
优选地,所述阴极的厚度为100nm~150nm。
优选地,所述空穴注入层的材料包括空穴传输材料和掺杂在所述空穴传输材料中的空穴注入材料;所述空穴注入材料的掺杂质量分数为25%~35%;所述空穴传输材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷中的至少一种;所述空穴注入材料为三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒和三氧化铼中的至少一种;所述空穴注入层的厚度为10nm~15nm。
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