[发明专利]一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法

权利要求书

1.一种用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

1)在蓝宝石晶片上生长非掺杂氮化镓；

2)将步骤1)生长了非掺杂氮化镓的蓝宝石晶片放入熔融的碱性溶液，之后取出用去离子水清洗甩干；

3)将步骤2)清洗甩干后的蓝宝石晶片再进行生长；

4)将GaN基键合在硅基板上，利用高温晶格失配应力剥离蓝宝石基片。

2.根据权利要求1所述的用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，其特征在于：所述步骤1)的具体步骤是：

1.1)将蓝宝石晶片放入MOCVD中；

1.2)调节MOCVD中温度至500-600℃，压力600乇，使GaN在蓝宝石晶片上生长30nm；

1.3)将MOCVD中温度升高至1000-1100℃、压力400乇，生长非掺杂氮化镓1.2um。

3.根据权利要求2所述的用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，其特征在于：所述步骤2)中蓝宝石晶片放入熔融的碱性溶液的时间是5-15分钟，KOH溶液的温度是300-400℃。

4.根据权利要求3所述的用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，其特征在于：所述步骤3)具体步骤是：将蓝宝石晶片重新放入MOCVD腔室中生长，依次生长非掺杂氮化镓、掺硅氮化镓、多量子阱和掺镁氮化镓。

5.根据权利要求4所述的用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，其特征在于：所述依次生长非掺杂氮化镓、掺硅氮化镓、多量子阱和掺镁氮化镓的具体参数是：气压400乇、温度1050℃、通入气体为三甲基镓和氨气，生成1.5-2.5um非掺杂氮化镓；气压300乇、温度1050℃、通入气体三甲基镓、氨气和N型掺杂源硅烷，生成2-3um掺硅氮化镓；气压200乇、温度950℃、通入气体为三甲基镓、氨气和P型掺杂源二茂镁，生成0.3um掺镁氮化镓；多量子阱的参数:10对铟镓氮/氮化镓,每对的厚度为15nm；铟镓氮的生长条件为：气压300乇、温度760℃、通入气体三甲基铟、三乙基镓、氨气，生成3nm铟镓氮；氮化镓的生长条件为：气压300乇、温度865℃、通入气体三乙基镓、氨气，生成12nm氮化镓。

6.根据权利要求1所述的用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，其特征在于：所述步骤2)中碱性溶液是KOH或NaOH。

7.根据权利要求1所述的用湿法腐蚀减少GaN外延缺陷的方法，其特征在于：所述步骤2)中蓝宝石晶片放入熔融的KOH溶液的时间是10分钟，KOH溶液的温度是350℃。