[发明专利]一种基于氧化石墨烯的柔性阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1. 一种基于氧化石墨烯的柔性阻变存储器，其特征在于包括：

由柔性材料组成的衬底；

位于柔性衬底上的下电极；

位于衬底、下电极之上的氧化石墨烯阻变功能层；

位于上述结构之上的上电极。

2. 一种如权利要求1所述的基于氧化石墨烯的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：

（1） 在柔性衬底上生长下电极；

（2） 预处理衬底表面，配制氧化石墨烯与乙醇的混合溶液；

（3） 室温下，在上述柔性衬底上旋涂氧化石墨烯乙醇混合溶液，得到氧化石墨烯阻变功能层；该阻变功能层的厚度可根据需要，通过控制转速和溶液浓度实现；

（4） 将经过上述步骤处理的柔性衬底在热板上进行热烘烤，使除了氧化石墨烯以外的溶剂蒸发；

（5） 在经过上述步骤处理的柔性衬底上生长上电极。

3. 根据权利要求2 所述的制备方法，其特征在于，所述的衬底材料为聚乙烯对苯二酸脂、聚酰亚胺、硅橡胶、聚对苯二甲酸乙二醇脂、硅树脂或者金属陶瓷。

4. 根据权利要求2 所述的制备方法，其特征在于，所述的预处理衬底表面，是采用氧气等离子体处理柔性衬底下电极，时间为4--8秒；配制的混合溶液中，氧化石墨烯水溶液和乙醇溶液体积比为2：1～4：1。

5. 根据权利要求2 所述的制备方法，其特征在于，所述的室温下旋涂氧化石墨烯乙醇混合溶液时，控制转速为800-1400转每分钟。

6. 根据权利要求2 所述的制备方法，其特征在于，所述在热板上进行热烘烤的温度为65--80摄氏度，时间为4—8分钟。

7. 根据权利要求2 所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）所述的生长上电极，采用光刻方法或者硬掩膜版方法，或者采用电子束蒸发、热蒸发或者物理气相沉积的方法。