[发明专利]一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法

权利要求书

1. 一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法，其特征是在保护气氛中对硅片锯屑粉进行高温氮化，采用氮气、氮氢混合气、氨气中一种或几种混合气体作为保护气氛，氩气作为氮化时的辅助气体，最高氮化温度为1250℃~1380℃，氮化过程中保温时间根据原料的用量来确定；然后使用粉磨设备对氮化产物进行粉磨，之后采用无机酸对粉磨所得氮化硅微粉酸洗，之后水洗，最后干燥得到高纯α相氮化硅粉体。

2.根据权利要求1所述的一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法，其特征是所述硅片锯屑粉是通过对多晶硅与单晶硅太阳能电池片、电子半导体产业使用的硅晶圆切割所产生的锯屑废料，包括带锯屑、磨屑、金刚石线锯屑，以及硅烷法生产多晶硅过程中产生的超细硅粉进行常规的酸洗、水洗、烘干工艺回收提纯获得的。

3.根据权利要求1所述的一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法，其特征是所述氩气的体积分数为0%~80%，优选为10%~60%。

4.根据权利要求3所述的一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法，其特征是所述氮氢混合气中氢气的体积分数为0%~50%，优选为5%~15%。

5.根据权利要求1所述的一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法，其特征是所述的无机酸是HCl、HF、HNO₃、H₂SO₄中一种或多种混合。

6.根据权利要求1所述的一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法，其特征是氮化温度分两端或多段进行，优选为第一阶段温度为600℃~900℃，以每分钟5℃~10℃升温；随后以每分钟1℃~5℃速度升温，最高温度为1250℃~1380℃。