[发明专利]一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法

权利要求书

1.一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法，其特征在于：采用气氛保护炉对回收提纯的硅片锯屑粉进行氮化，氮化时采用的保护气氛为氮气、氮氢混合气、氨气中一种或几种混合气体，采用氩气作为辅助气体，氮化温度分两段进行，第一阶段温度为1200℃~1380℃，氮气、氮氢混合气、氨气中一种或几种混合气体作为反应气体，氩气作为辅助气体；第二阶段最高温度为1400℃~1500℃，氮氢混合气、氨气中一种作为反应气体，保温时间根据原料的用量来确定。

2.根据权利要求1所述的一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法，其特征在于所述硅片锯屑粉是通过对多晶硅与单晶硅太阳能电池片、电子半导体产业使用的硅晶圆切割所产生的锯屑废料，包括带锯屑、磨屑、金刚石线锯屑，以及硅烷法生产多晶硅过程中产生的超细硅粉进行常规的酸洗、水洗、烘干工艺回收提纯获得的。

3.根据权利要求1所述的一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法，其特征在于所述氩气的体积分数为0%~80%。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法，其特征在于所述氮氢混合气中氢气的体积分数为0%~50%。