[发明专利]内串式金属化膜直流高压电容器无效
申请号: | 201310448269.1 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN103489638A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 曹骏骅;谢兴明 | 申请(专利权)人: | 安徽赛福电子有限公司 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/38;H01G4/33 |
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地址: | 244000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内串式 金属化 直流 高压 电容器 | ||
技术领域
本发明涉及一种内串式金属化膜直流高压电容器,属于电容器产品技术领域。
背景技术
常规的两层单面金属化薄膜的电容器无法满足直流高压的性能要求,现有技术提供的解决方案有两种:一是以光膜为垫膜材料卷绕成电容器芯子,单层金属化膜基膜下增加多层聚丙烯光膜;二是采用外部串联技术。上述两种方案只能在降低容量的同时提高有限的耐压性能,且对于第一种方案,由于现有卷绕机的材料盘数量有限,对设备改造的成本和难度较大;对于第二种方案则存在体积大、焊点多、易出现焊点加工的质量隐患、浪费大量连缆线,致使成本居高不下等问题。
发明内容
本发明正是针对现有技术存在的不足,提供一种内串式金属化膜直流高压电容器,具有体积小、耐超高压、低自感、低损耗、低等效串联电阻、可靠性高、长寿命的特点。
为解决上述问题,本发明所采取的技术方案如下:
一种内串式金属化膜直流高压电容器,包括配对金属化膜,所述配对金属化膜包括层叠设置的上膜和下膜,所述上膜镀设有平行的矩形金属化膜一和矩形金属化膜二,所述下膜镀设有平行于所述金属化膜一的矩形金属化膜三,所述金属化膜一为两个且位于所述上膜的两侧,所述金属化膜二为一个或多个,所述金属化膜三为至少两个;所述金属化膜一和所述金属化膜二之间、以及多个所述金属化膜二之间均设置有间隙一,两个或多个所述金属化膜二之间均设置有间隙二,所述间隙一与所述间隙二等宽,所述金属化膜二和所述金属化膜三等宽,且所述间隙一的中线与所述金属化膜三的中线对齐。所述间隙一的中线是指平行于所述间隙一且将所述间隙一的面积一分为二的直线,所述金属化膜三的中线是指平行于所述间隙一且将所述金属化膜三的面积一分为二的直线。
作为上述技术方案的优选,所述上膜两侧各设置有一条留边。
作为上述技术方案的优选,所述金属化膜二为四个,所述金属化膜二为五个。
本发明与现有技术相比较,本发明的实施效果如下:
本发明所述的内串式金属化膜直流高压电容器,具有体积小、耐超高压、低自感、低损耗、低等效串联电阻、可靠性高、长寿命的特点;且生产所述的内串式金属化膜直流高压电容器对现有镀膜设备的改造幅度较小,较容易实现。
附图说明
图1为本发明所述的内串式金属化膜直流高压电容器配对金属化膜展开平面结构示意图;
图2为图1所示的内串式金属化膜直流高压电容器配对金属化膜等效电容示意图。
具体实施方式
下面将结合具体的实施例来说明本发明的内容。
如图1所示,为本发明所述的内串式金属化膜直流高压电容器结构示意图。本发明所述内串式金属化膜直流高压电容器,包括配对金属化膜,所述配对金属化膜包括层叠设置的上膜和下膜,所述上膜镀设有平行的矩形金属化膜一M1和矩形金属化膜二M2,所述下膜镀设有平行于所述金属化膜一M1的矩形金属化膜三M3,所述金属化膜一M1为两个且位于所述上膜的两侧,所述金属化膜二M2为一个或多个,所述金属化膜三M3为至少两个;所述金属化膜一M1和所述金属化膜二M2之间、以及多个所述金属化膜二M2之间均设置有间隙一L2,两个或多个所述金属化膜二M2之间均设置有间隙二L3;所述间隙一L2与所述间隙二L3等宽,所述金属化膜二M2和所述金属化膜三M3等宽,且所述间隙一L2的中线与所述金属化膜三M3的中线对齐。所述上膜两侧各设置有一条留边L1。具体地,所述金属化膜二M2为四个,所述金属化膜二M2为五个。
上述配对金属化膜卷绕成与如图2所示的十个等容内串电容器等效,且上述结构有效利用了空间,降低了外串式工艺的质量隐患,大大提高了电容器的抗压能力,其耐压能力接近达单层介质膜的10倍;且由于采用普通卷绕方式,对设备的改造幅度小,提高了可操作性。
以上内容是结合具体的实施例对本发明所作的详细说明,不能认定本发明具体实施仅限于这些说明。对于本发明所属技术领域的技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明保护的范围。
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