[发明专利]一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法

权利要求书

1.一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于，至少包括步骤：

1）提供包括硅衬底、埋氧层及顶硅层的SOI衬底，于所述顶硅层表面形成C掺杂SiGe调制层；

2）于所述C掺杂SiGe调制层表面形成SiGe材料层；

3）于所述SiGe材料层表面形成Si帽层；

4）对上述结构进行氧化退火，以氧化所述Si帽层，并逐渐氧化所述SiGe材料层、C掺杂SiGe调制层及顶硅层，使所述SiGe材料层及C掺杂SiGe调制层中的Ge向所述顶硅层扩散并逐渐浓缩，最终形成顶SiGe层或顶Ge层、以及所述顶SiGe层或顶Ge层上方的SiO₂层；

5）去除所述顶SiGe层或顶Ge层上方的SiO₂层。

2.根据权利要求1所述的利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于：所述C掺杂SiGe调制层中，C的掺杂浓度不小于1E20/cm³。

3.根据权利要求1所述的利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于：所述C掺杂SiGe调制层中，C的掺杂浓度为定值；或所述C掺杂SiGe调制层中，C的掺杂浓度自下往上逐渐降低。

4.根据权利要求1所述的利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于：所述C掺杂SiGe调制层的厚度不小于20nm，且不大于其临界厚度。

5.根据权利要求1所述的利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于：所述C掺杂SiGe调制层中Ge组分为10%～40%。

6.根据权利要求1所述的利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于：所述SiGe材料层的厚度不大于其临界厚度。

7.根据权利要求1所述的利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于：所述SiGe材料层中Ge组分为10%～40%，且所述SiGe材料层中的Ge组分与所述C掺杂SiGe调制层中的Ge组分相同或相近。

8.根据权利要求1所述的利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于：所述Si帽层的厚度为3～10nm。

9.根据权利要求1所述的利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于：步骤4）所述氧化退火包括：a）第一氧化退火阶段，在1000～1200℃中氧化和退火若干次，每次氧化和退火时间为0.5～1小时；b）第二氧化退火阶段，在900～950℃中氧化和退火若干次，每次氧化和退火时间为0.5～1小时。

10.根据权利要求1所述的利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法，其特征在于：步骤5）中，采用HF溶液去除所述顶SiGe层上方的SiO₂层。