[发明专利]用于耦合光信号的光子芯片和光学适配器的布置

权利要求书

1.一种光学适配器(OA)，其整体地集成光学元件(OE)和第一微机械构件，所述第一微机械构件限定出至少第一水平参考表面(HP)和第一竖直参考表面(VP)，

其中，

所述第一水平参考表面(HP)垂直于光学平面，所述光学平面垂直于所述光学元件(OE)的光轴；以及

所述第一竖直参考表面(VP)垂直于所述第一水平参考表面(HP)，并平行于所述光轴。

2.如权利要求1所述的光学适配器，其中，所述光学元件(OE)包括透镜阵列，所述光学平面垂直于所述透镜阵列的各光轴。

3.如权利要求1或2所述的光学适配器，其中，所述光学元件(OE)包括至少两组不同类型的光学元件。

4.如权利要求3所述的光学适配器，其中，至少一组光学元件(OE)包括反射镜。

5.一种用于耦合光信号的布置，包括如上述权利要求中任一项所述的光学适配器(OA)和光子芯片(PC)，所述光子芯片包括：

波导(WG)，具有位于所述光子芯片的沟槽(T)处的波导终端；以及

第二微机械构件，限定出至少第二水平参考表面(CHP)；以及第二竖直参考表面(CVP)，

其中，

所述第二水平参考表面(CHP)垂直于第二光学平面，所述第二光学平面垂直于所述波导(WG)的第二光轴，

所述第二竖直参考表面(CVP)垂直于所述第二水平参考表面(CHP)，并平行于所述第二光轴，

所述第一水平参考表面(HP)与所述第二水平参考表面(CHP)接触，以及

所述第一竖直参考表面(VP)与所述第二竖直参考表面(CVP)接触。

6.如权利要求5所述的布置，其中，所述光子芯片(PC)是根据绝缘体上硅技术制成的。

7.如权利要求5或6所述的布置，其中：

所述第一水平参考表面(HP)和与所述光学元件(OE)相关联的参考点(RP)之间的第一距离等于所述第二水平参考表面(CHP)和与所述波导(WG)相关联的相应参考点(CRP)之间的第二距离；

并且其中，

所述第一竖直参考表面(VP)和所述参考点(RP)之间的第三距离(dVP)等于所述第二竖直参考表面(CVP)和所述相应参考点(CRP)之间的第四距离(d_CVP)。

8.如权利要求7所述的布置，其中，所述第一距离和所述第二距离均等于零。

9.一种用于使如权利要求1-4中任一项所述的光学适配器(OA)的光学元件与光子芯片的波导对准的方法，所述方法包括：

使所述第一水平参考表面和所述第一竖直参考表面与所述光子芯片的相应第二水平表面和第二竖直表面接触。

10.如权利要求9所述的方法，为了获得如权利要求5所述的布置，所述方法包括：

使所述第一水平参考表面(HP)与所述第二水平参考表面(CHP)接触；以及

使所述第一竖直参考表面(VP)与所述第二竖直参考表面(CVP)接触。

11.如权利要求9或10所述的方法，其中，根据绝缘体上硅技术制造所述光子芯片(PC)，从而获得绝缘体上硅层堆。

12.如权利要求11所述的方法，其中，通过选择性地终止于所述绝缘体上硅层堆的各表面之间的界面处的蚀刻工艺，制造所述第二微机械构件。

13.如权利要求9至12中任一项所述的方法，为了获得如权利要求7所述的布置，其中，进行接触包括将所述第一距离设定为等于所述第二距离，优选地等于零，以及将所述第三距离(d_VP)设定为等于所述第四距离(d_CVP)。

14.制造如权利要求1-4中任一项所述的光学适配器(OA)的方法。

15.如权利要求14所述的方法，其中，通过晶片级工艺获得所述光学元件(OE)和所述第一微机械构件。