[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

在衬底中形成的第一导电类型的第一杂质区，用作晶体管的源极和漏极；

在衬底中形成的第一导电类型的第一低浓度杂质区，用作晶体管的LDD区域；

在衬底中形成的第一导电类型的第二杂质区，具有与第一杂质区相同的杂质浓度；

在衬底中形成的第一导电类型的第二低浓度杂质区，连接到第二杂质区并且具有与第一低浓度杂质区相同的杂质浓度；

第一接触件，连接到第二杂质区；以及

第二接触件，连接到第二低浓度杂质区，

其中在以平面图观看时元件隔离膜不被形成在第一接触件与第二接触件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第一硅化物层，形成在第一杂质区的表面层中；以及

第二硅化物层，形成在第二杂质区的表面层中，

其中第一接触件连接到第二硅化物层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中第一硅化物层和第二硅化物层是由彼此相同的金属制成的硅化物。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：

第三硅化物层，形成在第二低浓度杂质区的表面层的一部分中，

其中第二接触件连接到第三硅化物层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

阻挡金属层，覆盖第二接触件的底部和侧面，

其中第二接触件通过阻挡金属层连接到第二低浓度杂质区。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中第二接触件的前端进入衬底中的其中形成第二低浓度杂质区的部分。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中第二低浓度杂质区中的深度方向上的与第二接触件的前端交迭的区域具有随着其深度增加而减小的杂质浓度。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中第二接触件的前端是圆形的。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中第二杂质区用作第一杂质区。

10.一种半导体装置，包括：

衬底；

栅极电极，形成在衬底之上；

作为第一导电类型杂质区的在衬底中形成的源极区；

作为第一导电类型杂质区的在衬底中形成的漏极区；

在衬底中形成的第一导电类型的低浓度杂质区，在以平面图观看时位于栅极电极和漏极区之间并且具有比漏极区更低的载流子浓度；

第一接触件，连接到低浓度杂质区，并且电连接到源极区；以及

第一导电类型的第一结区，形成在低浓度杂质区中的与第一接触件连接的部分中，具有比低浓度杂质区更高的载流子浓度并且具有比漏极区更低的载流子浓度。

11.一种半导体装置，包括：

衬底；

栅极电极，形成在衬底之上；

作为第一导电类型杂质区的在衬底中形成的源极区；

作为第一导电类型杂质区的在衬底中形成的漏极区；

在衬底中形成的第一导电类型的低浓度杂质区，在以平面图观看时位于栅极电极和漏极区之间并且具有比漏极区更低的载流子浓度；

第一接触件，连接到低浓度杂质区，并且电连接到源极区；以及

第一结区，通过将杂质引入到衬底中的与第一接触件连接的部分中而形成，

其中当第一结区的杂质浓度被设定为N_d，第一结区的深度被设定为σ_d，低浓度杂质区的杂质浓度被设定为N_LDD，并且低浓度杂质区的深度被设定为σ_LDD时，满足以下表达式（1）：

N_d>N_LDD·σ_LDD²/σ_d²…(1)。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中杂质浓度为在深度方向上的杂质浓度分布由高斯分布近似时的峰值浓度，并且杂质区的深度为在深度方向上的杂质浓度分布由高斯分布近似时的离差。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中第一结区比低浓度杂质区更浅。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中第一结区比低浓度杂质区更深。