[发明专利]一种固态量子点微阵列芯片传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种固态量子点微阵列芯片传感器，其特征在于，所述固态量子点微阵列芯片传感器包括玻片、带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层和量子点微阵列；

所述量子点微阵列为若干水溶性量子点通过带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层注入到所述玻片上孵育预定时间而成，所述量子点微阵列中量子点阵列点的数量与所述带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层中通孔的数量相等，所述量子点微阵列中量子点阵列点的排列方式与所述带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层中通孔的排列方式相同；

所述带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层不可逆键合在所述玻片上，并且所述量子点微阵列的每个量子点阵列点的几何中心与所述带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层的每个通道的几何中心对应对齐；

所述带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层为第二聚二甲基硅氧烷薄膜层贴合在第一聚二甲基硅氧烷薄膜层之上制成，所述第二聚二甲基硅氧烷薄膜层为带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层，所述第一聚二甲基硅氧烷薄膜层为带有通孔的聚二甲基硅氧烷薄膜层。

2.根据权利要求1所述的固态量子点微阵列芯片传感器，其特征在于，所述预定时间为0.5小时、1小时或0.5小时至1小时之间的任意时长。

3.根据权利要求1所述的固态量子点微阵列芯片传感器，其特征在于，所述带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层为预聚物和固化剂按照10：1的比例制成。

4.根据权利要求1所述的固态量子点微阵列芯片传感器，其特征在于，所述第二聚二甲基硅氧烷薄膜层为预聚物和固化剂按照5：1的比例制成，所述第一聚二甲基硅氧烷薄膜层为预聚物和固化剂按照20：1的比例制成。

5.一种固态量子点微阵列芯片传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下次序的工艺步骤：

在微阵列柱模板表面旋涂第一聚二甲基硅氧烷薄膜层；

将带有多通道的第二聚二甲基硅氧烷薄膜层按照所述微阵列柱的每一微柱都位于对应通道中间位置的标准贴合到所述第一聚二甲基硅氧烷薄膜层之上；

将所述具有第一聚二甲基硅氧烷薄膜层和第二聚二甲基硅氧烷薄膜层的微阵列柱模板置于烘箱中以70℃至90℃烘烤20分钟至30分钟后取出，得到带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层；

将所述带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层可逆键合至玻片；

向所述带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层的通孔注入水溶性量子点孵育预定时间后，将所述带有通孔通道的两层聚二甲基硅氧烷薄膜层从所述玻片上剥离，得到量子点微阵列；

将带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层按照所述带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层的通道的几何中心与所述量子点微阵列的量子点阵列的几何中心对齐的标准，不可逆键合在所述玻片上。

6.根据权利要求5所述固态量子点微阵列芯片传感器的制造方法，其特征在于，所述预定时间为0.5小时、1小时或0.5小时至1小时之间的任意时长。

7.根据权利要求5所述的固态量子点微阵列芯片传感器的制造方法，其特征在于，所述第一聚二甲基硅氧烷薄膜层为预聚物和固化剂按照20：1的比例制成的带有通孔的聚二甲基硅氧烷薄膜层。

8.根据权利要求5所述的固态量子点微阵列芯片传感器的制造方法，其特征在于，所述第二聚二甲基硅氧烷薄膜层为预聚物和固化剂按照5：1的比例制成的带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层。

9.根据权利要求5所述的固态量子点微阵列芯片传感器的制造方法，其特征在于，所述带有通道的聚二甲基硅氧烷薄膜层为预聚物和固化剂按照10：1的比例制成。

10.根据权利要求5所述的固态量子点微阵列芯片传感器的制造方法，其特征在于，所述将所述具有第一聚二甲基硅氧烷薄膜层和第二聚二甲基硅氧烷薄膜层的微阵列柱模板置于烘箱中以70℃至90℃烘烤20分钟至30分钟后取出具体为：

将所述具有第一聚二甲基硅氧烷薄膜层和第二聚二甲基硅氧烷薄膜层的微阵列柱模板置于烘箱中以80℃烘烤20分钟后取出。