[发明专利]集成电路和切换方法、振动器件、电子设备、移动体

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路、振动器件、电子设备、移动体以及集成电路的模式切换方法。

背景技术

温度补偿型石英振荡器(TCXO：Temperature Compensated X’tal Oscillator)通过在预定的温度范围内消除与石英振子的振荡频率的期望频率(公称频率)之间的偏差(频率偏差)来获得较高的频率稳定度，因此广泛使用于移动电话的终端、基站或GPS(Global Positioning System：全球定位系统)接收机等需要高精度的定时信号的设备或系统。

一般情况下，TCXO为了进行振荡频率的温度补偿，而在出厂前进行每个温度的频率调整。在该调整中，若内置于TCXO的石英振子的温度变化与TCXO用IC内部的温度传感器的检测温度变化相对一致，则能够进行高精度的温度补偿。但是，上述温度传感器大多搭载在TCXO用IC内，容易受到TCXO用IC的功耗所导致的发热的影响，而且与TCXO用IC的功耗变化相伴的发热变化仅对温度传感器带来影响，所以有时石英振子的温度变化与温度传感器的检测温度变化之间会产生偏差，结果，妨碍了高精度的温度补偿。针对以上的课题，以往的TCXO用IC在为了与内置存储器等进行串行通信而使用的串行接口模式下，也会避免导致发热变化的大的内部状态变化。

另一方面，由于近年来的TCXO的低价格化，当务之急的是使内置于TCXO中的TCXO用IC小面积、低成本化，并且需要通过以微细制造工艺制作出的更小面积的IC。另外，TCXO用IC为了实现小面积、低成本化，而大多是进行少引脚化，因为无法设置为了与内置存储器等进行串行通信而使用的向串行接口模式切换的切换专用引脚，所以存在通过对电源端子施加高电压来进行模式切换的情形(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第5724009号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，当对通过微细制造工艺制造出的TCXO用IC的电源端子施加高电压时，其结果，对其内部的晶体管施加高电压，从而不能忽视对晶体管施加的应力，并且HCI(Hot Carrier Injection：热载流子注入)、NBTI(Negative Bias Temperature Instability：负偏压温度不稳定性)、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown：经时介电击穿)等的特性劣化成为问题。例如，NBTI是在高温下长期保持在晶体管的栅极—衬底之间具有电势差(Negative Bias)的状态时晶体管特性发生偏移的现象，例如，在振荡电路的输出缓冲电路被构成为如图15所示的情况下，当对电源端子(VDD端子)施加高电压时，虚线内的PMOS晶体管的源极(S)-栅极(G)之间的电压差变大，施加产生NBTI的应力。这样的特性劣化的问题妨碍了TCXO用IC由于采用微细制造工艺而降低成本的效果，并且很难确保器件的可靠性。

本发明是鉴于以上这样的问题点而作出的，根据本发明的几个方式，能够提供如下的集成电路、振动器件、电子设备、移动体以及集成电路的模式切换方法：可降低由于在模式切换时施加高电压而产生的对晶体管的应力，在维持可靠性的同时通过使用微细制造工艺来降低成本。

解决问题的手段

本发明是为了解决上述课题的至少一部分而作出的，可作为以下的方式或应用例来实现。

[应用例1]

本应用例的集成电路包含：第1端子；第2端子；振荡电路，其用于使振荡元件进行振荡；模式切换电路，其根据上述第1端子的电压来切换如下的第1模式和第2模式，其中该第1模式是将上述振荡电路输出的振荡信号从上述第2端子输出至外部的模式，该第2模式是从上述第2端子输出或输入上述振荡信号以外的信号的模式；以及控制电路，其根据设定信息，在上述第2模式下对上述振荡电路的停止进行控制。

例如，第1端子是电源端子，模式切换电路可以在第1端子的电压属于第1电压范围内时选择第1模式。

根据本应用例的集成电路，可根据第1端子的电压来进行第1模式和第2模式的切换，并且在第2模式下能够从外部对振荡电路的停止进行控制。因此，通过设定为在第2模式下使振荡电路停止，能够降低由于在模式切换时施加高电压而引起的对振荡电路内部的元件的应力，在维持可靠性的同时通过使用微细制造工艺实现成本降本。

[应用例2]

在上述应用例的集成电路中也可以是，在投入电源的同时选择了上述第2模式时，上述控制电路使上述振荡电路停止。